[发明专利]MEMS器件封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种MEMS器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供器件晶圆，在所述器件晶圆的表面上覆盖键合介质层，并对所述键合介质层的顶面进行平坦化；

刻蚀所述键合介质层，以在所述键合介质层中形成电极沟槽；

采用剥离工艺在所述电极沟槽中形成电极，所述电极的顶面高于所述键合介质层的顶面；

刻蚀所述器件晶圆，以在所述器件晶圆中形成下梳齿结构；

提供具有电极引出框的盖板晶圆，将所述盖板晶圆键合到所述键合介质层上，且所述电极插入到所述电极引出框中；

刻蚀所述盖板晶圆，以暴露出所述电极的顶面并在所述盖板晶圆中形成上梳齿结构，所述上梳齿结构中的至少一条缝隙暴露出下方的所述键合介质层；

通过所述上梳齿结构中的缝隙，去除所述下梳齿结构上的键合介质层。

2.如权利要求1所述的MEMS器件封装方法，其特征在于，所述键合介质层包括氧化硅；所述电极包括钨、铝、钛、铜、金、镍、铬、钽、钴、钼中的至少一种。

3.如权利要求1所述的MEMS器件封装方法，其特征在于，在形成所述电极之后且在将所述盖板晶圆键合到所述键合介质层上之前，还包括：对所述器件晶圆进行湿法清洗。

4.如权利要求1所述的MEMS器件封装方法，其特征在于，向所述缝隙中通入气相刻蚀剂，来去除所述下梳齿结构上的键合介质层。

5.如权利要求4所述的MEMS器件封装方法，其特征在于，所述气相刻蚀剂包括气相氟化氢。

6.如权利要求1所述的MEMS器件封装方法，其特征在于，在所述器件晶圆的表面上覆盖键合介质层之前，或者，在将所述盖板晶圆键合到所述键合介质层上之后，还包括：将所述器件晶圆背向所述盖板晶圆的表面键合到一衬底晶圆上。

7.如权利要求6所述的MEMS器件封装方法，其特征在于，所述衬底晶圆和/或所述盖板晶圆为形成有CMOS器件的晶圆。

8.一种MEMS器件封装结构，其特征在于，采用权利要求1～7中任一项所述MEMS器件封装方法形成，所述MEMS器件封装结构包括：

器件晶圆部分，所述器件晶圆部分形成有下梳齿结构，且在所述下梳齿结构外围的所述器件晶圆部分的表面上覆盖有键合介质层，所述键合介质层中形成有电极沟槽，所述电极沟槽中形成有顶面高于所述键合介质层顶面的电极；

盖板晶圆部分，所述盖板晶圆键合在所述键合介质层上，且所述盖帽晶圆部分中具有电极引出框以及上梳齿结构，所述电极插入到所述电极引出框中。

9.如权利要求8所述的MEMS器件封装结构，其特征在于，还包括衬底晶圆部分，所述衬底晶圆部分键合在所述器件晶圆部分背向所述盖板晶圆部分的表面上。

10.如权利要求8所述的MEMS器件封装结构，其特征在于，所述下梳齿结构包括MEMS谐振器、MEMS陀螺仪、MEMS红外传感器、MEMS加速度计和MEMS磁力计中的至少一种MEMS器件所需的机械微结构。