[发明专利]一种自旋场效应晶体管有效
| 申请号： | 202010083615.0 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111276536B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王开友;邓永城;朱文凯;胡策;闫法光 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自旋场效应晶体管，所述晶体管包括：绝缘衬底；依次设置在所述绝缘衬底上的第一半导体层和第二半导体层；分别设置在所述第二半导体层上两端的源电极和漏电极；设置在所述源电极和漏电极之间以及覆盖在所述源电极和漏电极上的介电层，以及，设置在所述源电极和漏电极之间的介电层上的栅极；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型或载流子浓度不同。本发明在第一半导体层和第二半导体层之间形成pn结或内建电场，提高自旋载流子注入的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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