[发明专利]一种自旋场效应晶体管有效
| 申请号： | 202010083615.0 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111276536B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王开友;邓永城;朱文凯;胡策;闫法光 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 场效应 晶体管 | ||
1.一种自旋场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：
绝缘衬底（1）；
依次设置在所述绝缘衬底（1）上的第一半导体层（2）和第二半导体层（3）；其中，所述第二半导体层（3）部分覆盖所述第一半导体层（2），所述第一半导体层（2）上未被覆盖区域上设置介电层（6）；
分别设置在所述第二半导体层上两端的源电极（4）和漏电极（5）；
设置在所述源电极（4）和漏电极（5）之间以及覆盖在所述源电极和漏电极上的所述介电层（6），以及，
设置在所述源电极（4）和漏电极（5）之间的所述介电层（6）上的栅极（7）；
其中，所述第一半导体层（2）和所述第二半导体层（3）由不同导电类型或相同导电类型且不同载流子浓度的二维范德瓦尔斯材料组成，所述源电极（4）和漏电极（5）的材料为Fe3GeTe2、Fe5GeTe、CrI3、CrBr3。
2.根据权利要求1所述的自旋场效应晶体管，其特征在于，所述第一半导体层（2）和所述第二半导体层（3）均为1层以上。
3.根据权利要求1所述的自旋场效应晶体管，其特征在于，所述第一半导体层（2）和所述第二半导体层（3）的材料为InSe、GaSe或黑磷。
4.根据权利要求1所述的自旋场效应晶体管，其特征在于，所述绝缘衬底（1）和所述第一半导体层（2）之间设置有1-10层石墨烯。
5.根据权利要求1所述的自旋场效应晶体管，其特征在于，所述设置在所述源电极（4）和漏电极（5）之间的介电层（6）长度为10~150nm。
6.根据权利要求1所述的自旋场效应晶体管，其特征在于，所述绝缘衬底（1）的材料为重掺杂Si/SiOx、AlOx、或BN。
7.根据权利要求1所述的自旋场效应晶体管，其特征在于，所述介电层（6）的材料为SiOx、AlOx、SiC、HfOx、TiOx、或h-BN。
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