[发明专利]具有栅极接触部的自对准栅极端帽（SAGE）架构在审
| 申请号： | 202010081594.9 | 申请日： | 2020-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN111668215A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | S.苏布拉马尼恩;W.M.哈费茨 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了具有栅极接触部的自对准栅极端帽（SAGE）架构以及制作具有栅极接触部的SAGE架构的方法。在示例中，一种集成电路结构，包括半导体鳍之上的栅极结构。栅极端帽隔离结构与所述栅极结构横向相邻并且相接触。沟槽接触部结构在所述半导体鳍之上，其中所述栅极端帽隔离结构与所述沟槽接触部结构横向相邻并且相接触。本地栅极到接触部互连将所述栅极结构电连接到所述沟槽接触部结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 接触 对准 sage 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
