[发明专利]一种半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010080278.X | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113223946A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘璐;邵群;金懿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构的形成方法。所述方法包括：研磨所述金属栅极材料层至露出所述阻挡层；刻蚀所述阻挡层至所述阻挡层表面不高于所述层间介质层表面；继续研磨所述金属栅极材料层至所述第一区域和第二区域都露出层间介质层。所述方法先研磨所述金属栅极材料层至露出所述阻挡层，再单独将导致研磨速率差别较大的所述阻挡层高于层间介质层的部分去除，然后继续研磨所述金属栅极材料层至所述第一区域和第二区域都露出层间介质层，避免了研磨工艺受到研磨速率差别的影响，使第一区域和第二区域的栅极研磨后的高度都能满足工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
