[发明专利]具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区在审
| 申请号： | 202010073844.4 | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111244183A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;陈建颖;张永融 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，在一种方法中，提供其上配置有栅极结构的体结构。栅极结构包括横穿体结构的栅极侧壁。在栅极侧壁上方形成间隔件。在体结构中形成第一凹槽。第一凹槽形成在间隔件旁边并且在间隔件下面横向延伸。在第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸第一凹槽的垂直深度。生长晶格常数不同于体结构的应力源材料，使得延伸的第一凹槽被填充。本发明还提供了具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 延伸 部分 晶体管 嵌入式 漏极区 | ||
【主权项】：
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