[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010073396.8 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112531010A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吉川大辉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供的能够抑制由电压施加引起的耐压的降低的半导体装置具备第1电极、第1导电型的第1、第3半导体区域、第2导电型的第2半导体区域及多个环状区域、第2电极、第3电极及半绝缘层。第2半导体区域设置于第1半导体区域的上方。第3半导体区域设置于第1半导体区域的上方，包围第2半导体区域。多个环状区域分别包围第2半导体区域。第2电极设置于第2半导体区域的上方。第3电极设置于第3半导体区域的上方。半绝缘层与第1半导体区域、第2电极、多个环状区域及第3电极接触。多个环状区域包含第1环状区域及设置于第1环状区域与第3半导体区域之间的第2环状区域。径向上的第2环状区域的长度比径向上的第1环状区域的长度短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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