[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 202010069376.3 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111524852A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 新村聪;高柳康治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置是使用处理液处理基片的基片处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的保持旋转部；处理液供给机构，其至少具有收纳处理液的处理液容器和用于将上述处理液容器的处理液供给到基片的液供给通路；释放部，其对因上述保持旋转部而旋转的基片释放从上述液供给通路供给的处理液；获取上述处理液供给机构中的压力信息的压力信息获取部；和基于由上述压力信息获取部获取的压力信息，控制上述保持旋转部的转速的控制部。本发明能够进行各个基片的膜厚的改变少的良好的涂敷处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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