[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质

说明书

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置是使用处理液处理基片的基片处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的保持旋转部；处理液供给机构，其至少具有收纳处理液的处理液容器和用于将上述处理液容器的处理液供给到基片的液供给通路；释放部，其对因上述保持旋转部而旋转的基片释放从上述液供给通路供给的处理液；获取上述处理液供给机构中的压力信息的压力信息获取部；和基于由上述压力信息获取部获取的压力信息，控制上述保持旋转部的转速的控制部。本发明能够进行各个基片的膜厚的改变少的良好的涂敷处理。

技术领域

本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。

背景技术

已知有使用抗蚀剂液等处理液处理半导体晶片等基片的基片处理装置。这种基片处理装置包括：保持基片并使其旋转的保持旋转部；和对因保持旋转部而旋转的基片释放处理液的释放部(专利文献1)

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-023669号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在对多个基片连续地进行抗蚀剂液的涂敷处理的情况下，各个基片的处理后的抗蚀剂的膜厚有时发生改变。本发明提供一种进行各个基片的膜厚的改变少的良好的涂敷处理的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一方式的基片处理装置是使用处理液处理基片的基片处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的保持旋转部；处理液供给机构，其至少具有收纳处理液的处理液容器和用于将上述处理液容器的处理液供给到基片的液供给通路；释放部，其对因上述保持旋转部而旋转的基片释放从上述液供给通路供给的处理液；获取上述处理液供给机构中的压力信息的压力信息获取部；和基于由上述压力信息获取部获取的压力信息，控制上述保持旋转部的转速的控制部。

发明效果

依照本发明，能够进行各个基片的膜厚的改变少的良好的涂敷处理。

附图说明

图1是表示使用了本发明的基片处理装置的涂敷处理装置整体的概略结构的结构图。

图2是将方案信息与处理液供给机构的压力信息相关联的表。

图3是用于说明本实施方式中的涂敷处理装置的动作的流程图。

附图标记说明

1 处理液供给机构

2 涂敷处理单元

11 瓶

22 旋转卡盘

23 驱动机构

25 供给喷嘴

100 控制部。

具体实施方式

对将本发明的基片处理装置应用于进行抗蚀剂液的涂敷处理的涂敷处理装置的实施方式进行说明。此外，在本说明书中，在实质上具有相同的功能结构的要素中，标注相同的附图标记而省略重复的说明。

(第1实施方式)

图1是表示本发明的实施方式的涂敷处理装置整体的概略结构的结构图。涂敷处理装置包括处理液供给机构1和涂敷处理单元2。在涂敷处理单元2中，收纳于杯状体21内的旋转卡盘(spin chuck)22和驱动机构23构成保持基片并使其旋转的保持旋转部。