[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审
申请号: | 202010069376.3 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN111524852A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 新村聪;高柳康治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/027;G03F7/16 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
1.一种基片处理装置,其使用处理液处理基片,所述基片处理装置的特征在于,包括:
保持基片并使其旋转的保持旋转部;
处理液供给机构,其至少具有收纳处理液的处理液容器和用于将所述处理液容器的处理液供给到基片的液供给通路;
释放部,其对因所述保持旋转部而旋转的基片释放从所述液供给通路供给的处理液;
获取所述处理液供给机构中的压力信息的压力信息获取部;和
基于由所述压力信息获取部获取的压力信息,控制所述保持旋转部的转速的控制部。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
所述压力信息获取部获取所述处理液容器的内压值,
所述控制部基于所述获取的内压值,控制所述保持旋转部的转速。
3.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
所述处理液供给机构还包括将在所述供给通路中流动的处理液加压输送的加压输送部,
所述压力信息获取部获取所述加压输送部的内压值,
所述控制部基于所述获取的内压值,控制所述保持旋转部的转速。
4.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
所述处理液供给机构还包括测量在所述供给通路中流动的处理液的流量的流量测量部,
所述压力信息获取部获取所述流量测量部的前后的压力值的差信息,
所述控制部基于所述获取的压力值的差信息,控制所述保持旋转部的转速。
5.如权利要求1~4中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
所述控制部基于根据压力信息与处理液的粘度的关系、处理液的粘度与膜厚的关系、以及膜厚与基片保持旋转部的转速的关系求取出的表,控制所述基片保持旋转部的转速。
6.一种基片处理装置的控制方法,其特征在于:
所述基片处理装置使用处理液处理基片,并包括:
保持基片并使其旋转的保持旋转部;处理液供给机构,其至少具有收纳处理液的处理液容器和用于将所述处理液容器的处理液供给到基片的液供给通路;和
对因所述保持旋转部而旋转的基片释放从所述液供给通路供给的处理液的释放部;
所述控制方法包括:
获取所述处理液供给机构中的压力信息的压力信息获取步骤;和
基于在所述压力信息获取步骤中获取的压力信息,控制所述保持旋转部的转速的控制步骤。
7.如权利要求6所述的基片处理装置的控制方法,其特征在于:
所述压力信息获取步骤获取所述处理液容器的内压值,
所述控制步骤基于所述获取的内压值,控制所述保持旋转部的转速。
8.如权利要求6所述的基片处理装置的控制方法,其特征在于:
所述处理液供给机构还包括将在所述供给通路中流动的处理液加压输送的加压输送部,
所述压力信息获取步骤获取所述加压输送部的内压值,
所述控制步骤基于所述获取的内压值,控制所述保持旋转部的转速。
9.如权利要求6所述的基片处理装置的控制方法,其特征在于:
所述处理液供给机构还包括测量在所述供给通路中流动的处理液的流量的流量测量部,
所述压力信息获取步骤获取所述流量测量部的前后的压力值的差信息,
所述控制步骤基于所述获取的压力值的差信息,控制所述保持旋转部的转速。
10.如权利要求6~9中任一项所述的基片处理装置的控制方法,其特征在于:
所述控制步骤基于根据压力信息与处理液的粘度的关系、处理液的粘度与膜厚的关系、以及膜厚与基片保持旋转部的转速的关系求取出的表,控制所述基片保持旋转部的转速。
11.一种计算机可读取的存储介质,其特征在于:
存储有用于使装置执行权利要求6~9中任一项所述基片处理装置的控制方法的程序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造