[发明专利]一种实验用MOSFET管和BJT管级联电压放大电路

摘要

本发明的实验用MOSFET管和BJT管级联电压放大电路，包括MOSFET管Q1、BJT管Q2、偏置电位器RW1和RW2、第一和第二电源正、电源地和电源正；MOSFET管Q1的漏极经负载电阻R4接于第一电源正上，源极依次经电阻R5和电阻R6接于电源地上，栅极依次经电容E2和电阻R1接于输入信号端in上；BJT管Q2的集电极经负载电阻R10接于第二电源正上，发射极依次经交直流负反馈电阻R11、直流反馈电阻R12接于电源地上，基极经电阻R9接于偏置电位器RW2的可变电阻端。本发明的电压放大电路，调节RW1和RW2可观察MOSFET管和BJT管的单管或级联放大状态，有利于学生充分理解和掌握MOSFET管和BJT管的工作特性，有益效果显著，适于应用推广。