[发明专利]冷却功率模块的制作工艺在审
| 申请号： | 202010064753.4 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN113140472A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘玉辉;杜春雨;武盼盼 | 申请（专利权）人： | 北京新能源汽车股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/60;H01L23/24;H01L23/49;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李岩 |
| 地址： | 102606 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率冷却模块的制作工艺，所述制作工艺包括：S1：烧结步骤，烧结步骤包括：同时进行的下基板与芯片烧结、上基板与支撑件烧结；S2：焊接步骤，焊接步骤包括：将支撑件与芯片焊接；S3：封装步骤，封装步骤适于将上基板、下基板、支撑件以及芯片封装。由此，一方面，可以降低冷却功率模块的制作周期，以提高生产效率；另一方面，通过支撑件与芯片的焊接替代现有技术中的支撑件与芯片的烧结，不仅降低了一道烧结工序，且焊接工序的成本远低于烧结工序，可以有效地降低成本，而且取消支撑件与芯片之间的烧结工序后，无需再芯片的上表面(即与支撑件相对的一侧表面)上设置贵金属镀层，可以进一步地降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却 功率 模块 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
