[发明专利]一种p型氮掺杂氧化镓薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202010059433.X | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111341839B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 方志来;蒋卓汛;闫春辉;吴征远;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02;H01L29/786;H01L21/34;H01L31/032;H01L31/108;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种p型氮掺杂氧化镓薄膜及其制备方法，通过热氧化生长，自氮化镓薄膜上表面向氮化镓薄膜下表面扩散生长p型氧化镓薄膜，制得的p型氧化镓薄膜载流子浓度为1.0×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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