[发明专利]一种减少NAND FLASH擦写次数的方法及系统有效

专利信息
申请号: 202010053933.2 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN111273864B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 张瑞金;刘强;孙志正 申请(专利权)人: 山东浪潮科学研究院有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 代理人: 董延丽
地址: 250101 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 本申请公开了一种减少NAND闪存NAND FLASH擦写次数的方法及系统,能够获取电子设备的外部电源的工作状态;在所述外部电源的工作状态为断电状态下,确定所述电子设备的临时存储介质中的配置数据,与所述电子设备的NAND FLASH中的配置数据是否一致;在所述临时存储介质中的配置数据与所述NAND FLASH中的配置数据不一致的情况下,所述主控模块将所述临时存储介质中的配置数据写入所述NAND FLASH。基于上述技术方案,可以合理的减少NANDFLASH的擦写次数,延长电子设备的使用寿命。
搜索关键词: 一种 减少 nand flash 擦写 次数 方法 系统
【主权项】:
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