[发明专利]一种减少NAND FLASH擦写次数的方法及系统有效
申请号: | 202010053933.2 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111273864B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 张瑞金;刘强;孙志正 | 申请(专利权)人: | 山东浪潮科学研究院有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人: | 董延丽 |
地址: | 250101 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 nand flash 擦写 次数 方法 系统 | ||
1.一种减少NAND闪存NAND FLASH擦写次数的方法,其特征在于,所述方法包括:
获取电子设备的外部电源的工作状态;
在所述外部电源的工作状态为断电状态下,确定所述电子设备的临时存储介质中的配置数据,与所述电子设备的NAND FLASH中的配置数据是否一致;
在所述临时存储介质中的配置数据与所述NAND FLASH中的配置数据不一致的情况下,将所述临时存储介质中的配置数据写入所述NAND FLASH;
所述将临时存储介质中的配置数据写入所述NAND FLASH,具体包括:
将所述临时存储介质中的配置数据,写入所述NAND FLASH的主数据块;以及
将所述临时存储介质中的配置数据,写入所述NAND FLASH的备用数据块;
在所述临时存储介质中的配置数据与所述NAND FLASH中的配置数据不一致的情况下,所述方法还包括:
在所述临时存储介质中的配置数据,与所述NAND FLASH中的配置数据不一致的情况下,更新所述NAND FLASH的写入次数;
并将更新后的写入次数与临时存储介质中的配置数据一并写入所述NAND FLASH的主数据块和备用数据块中;
所述方法还包括:
在所述电子设备开机过程中,所述主控模块获取所述NAND FLASH的主数据块和备用数据块中的配置数据;
判断所述主数据块中的配置数据以及备用数据块中的配置数据是否有效;
在所述主数据块中的配置数据与备用数据块中的配置数据均有效的情况下,比较所述主数据块中的写入次数与所述备用数据块中的写入次数;
在所述主数据块中的写入次数大于所述备用数据块中的写入次数的情况下,根据所述主数据块中的配置数据进行开机操作;
在所述主数据块中的写入次数小于备用数据块中的写入次数的情况下,根据所述备用数据块中的配置数据进行开机操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,获取电子设备的外部电源的工作状态,具体包括:
获取所述电子设备的外部电源的输出电压;
根据所述外部电源的输出电压确定所述外部电源的工作状态。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述主数据块中的配置数据无效的情况下,根据所述备用数据块中的配置数据进行开机操作;
在所述备用数据块中的配置数据无效的情况下,根据所述主数据块中的配置数据执行开机操作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东浪潮科学研究院有限公司,未经山东浪潮科学研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010053933.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。