[发明专利]一种减少NAND FLASH擦写次数的方法及系统

说明书

本申请公开了一种减少NAND闪存NAND FLASH擦写次数的方法及系统，能够获取电子设备的外部电源的工作状态；在所述外部电源的工作状态为断电状态下，确定所述电子设备的临时存储介质中的配置数据，与所述电子设备的NAND FLASH中的配置数据是否一致；在所述临时存储介质中的配置数据与所述NAND FLASH中的配置数据不一致的情况下，所述主控模块将所述临时存储介质中的配置数据写入所述NAND FLASH。基于上述技术方案，可以合理的减少NANDFLASH的擦写次数，延长电子设备的使用寿命。

技术领域

本申请涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种减少NAND FLASH擦写次数的方法及系统。

背景技术

NAND闪存(NAND FLASH，NAND FLASH)是一种FLASH存储器，具有容量较大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因此，得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MPS随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

但是，由于制造工艺的原因，NANDFLASH的擦写次数是有限制的，例如目前市面上的SLC NAND FLASH的擦写次数一般在3000-6000次，MLCNAND FLASH的擦写次数一般只有几百次，还用过程中超过NAND FLASH的擦写次数就会形成坏块。

如果电子设备在配置数据每次做出修改后都要擦写一次NAND FLASH，会造成NANDFLASH的频繁擦写，形成坏块，导致配置数据无法保存，造成电子设备故障，减少NAND FLASH的使用时间。

基于此，如何在电子设备的配置数据修改后通过擦写的方式存储在NAND FLASH的基础上，合理的减少NANDFLASH的擦写次数成为亟需解决的问题。

发明内容

本说明书实施例提供一种减少NANDFLASH擦写次数的方法及系统，用于解决现有技术中NAND FLASH频繁擦写造成坏块，造成NAND FLASH使用时间的问题。

本说明书实施例采用下述技术方案：

一种减少NAND闪存NAND FLASH擦写次数的方法，所述方法包括：

获取电子设备的外部电源的工作状态；

在所述外部电源的工作状态为断电状态下，确定所述电子设备的临时存储介质中的配置数据，与所述电子设备的NANDFLASH中的配置数据是否一致；

在所述临时存储介质中的配置数据与所述NANDFLASH中的配置数据不一致的情况下，将所述临时存储介质中的配置数据写入所述NAND FLASH。

可选地，获取电子设备的外部电源的工作状态，具体包括：

获取所述电子设备的外部电源的输出电压；

根据所述外部电源的输出电压确定所述外部电源的工作状态。

可选地，所述将临时存储介质中的配置数据写入所述NAND FLASH，具体包括：

将所述临时存储介质中的配置数据，写入所述NAND FLASH的主数据块；以及

将所述临时存储介质中的配置数据，写入所述NAND FLASH的备用数据块。

可选地，在所述临时存储介质中的配置数据与所述NANDFLASH中的配置数据不一致的情况下，所述方法还包括：

在所述临时存储介质中的配置数据，与所述NANDFLASH中的配置数据不一致的情况下，更新所述NANDFLASH的写入次数；

并将更新后的写入次数与临时存储介质中的配置数据一并写入所述NANDFLASH的主数据块和备用数据块中。