[发明专利]用于生产氧正硅酸盐材料的晶体生长气氛在审
| 申请号： | 202010052948.7 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111455465A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | M.S.安德里科;P.C.科亨;A.A.凯里 | 申请（专利权）人： | 美国西门子医疗系统股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 章敏;杨戬 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于生产氧正硅酸盐材料的晶体生长气氛。公开了生长稀土氧正硅酸盐晶体的方法和使用所述方法生长的晶体。所述方法包括通过熔融包含至少一种第一稀土元素的第一物质来制备熔体和提供包含惰性气体和含氧气体的气氛。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 硅酸盐 材料 晶体生长 气氛 | ||
【主权项】：
暂无信息
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