[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010042238.6 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112530816A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 友野章;徳渕圭介;大野天頌 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一个实施方式，实施方式的半导体装置的制造方法具备如下工序：将具备分别具有柱状电极的多个芯片区域及切割区域的半导体晶圆沿着切割区域分割，将多个芯片区域单片化；在经单片化的多个半导体芯片上贴附非导电性树脂膜，并且将非导电性树脂膜的一部分填充到相邻的多个半导体芯片间的间隙；在填充到间隙内的非导电性树脂膜形成具有比间隙的宽度窄的宽度的槽；以及将具有非导电性树脂膜的多个半导体芯片依次拾取并安装在衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
