[发明专利]芯片、功率器件及芯片的制作方法在审
| 申请号： | 202010021121.X | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN113097126A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 陈楠宏;史波;肖婷 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种芯片、功率器件及芯片的制作方法。芯片包括:接触结构；介质层，位于接触结构的前侧；至少一个过孔，过孔贯穿介质层并通向接触结构；接触改善层，覆于介质层的前侧表面、过孔的孔壁以及接触结构被过孔曝露的表面，接触改善层的前侧表面具有凹陷图案结构；金属层，位于接触改善层的前侧表面且填充过孔。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 功率 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
