[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010020259.8 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN112531009A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供针对由动作时的发热引起的损坏模式具有较高的耐性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部，包含第1导电型的第1半导体层；设置于半导体部的表面侧的电极；第1控制电极，配置于半导体部与电极之间，与半导体部电绝缘；及第2控制电极，在半导体部与电极之间与第1控制电极并排而配置，与半导体部电绝缘。半导体部还包括：第2导电型的第2半导体层，设置于第1半导体层与电极之间；及第1导电型的第3半导体层，选择性地设置于第2半导体层与电极之间。第1控制电极及第2控制电极具有设置于与第2半导体层对置的位置、且位于第1半导体层中的端部。第2控制电极包含与第1控制电极的材料相比导热率更大的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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