[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010018146.4 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112510091A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 吴仲强;陈柏成;黄国展;钟鸿钦;李显铭;陈建豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种器件包括：半导体鳍；位于半导体鳍的侧壁和顶表面上的栅极堆叠。栅极堆叠包括：高k电介质层；与高k电介质层的底部交叠的功函数层；以及与功函数层的第二底部交叠的阻挡层。低电阻金属层与功函数层和阻挡层交叠并接触。低电阻金属层具有的电阻率值低于功函数层和阻挡层两者的第二电阻率值。栅极间隔件与栅极堆叠的侧壁接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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