[发明专利]含硅衬底中凹槽的制作方法、三维NAND存储器及制作方法有效
| 申请号： | 202010003394.1 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111162088B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 郭海峰;王孝进;刘小辉;赖琳;张和 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种含硅衬底中凹槽的制作方法、三维NAND存储器及制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供表面具有第一堆叠结构的含硅衬底，顺序刻蚀第一堆叠结构和含硅衬底，以形成贯穿第一堆叠结构的第一沟道通孔以及位于含硅衬底中的凹槽，凹槽与第一沟道通孔连通；采用包含第一刻蚀气体和第二刻蚀气体的混合气体通过第一沟道通孔对凹槽进行吹扫，第一刻蚀气体为氢气，第二刻蚀气体在相同刻蚀条件下的刻蚀速率大于第一刻蚀气体的刻蚀速率，吹扫温度为700～1000℃，吹扫时间为1～30分钟。本发明采用上述混合气体对凹槽进行吹扫，能够缩短吹扫时间，降低了高温吹扫对晶圆应力的影响，避免了晶圆应力较大对后续沉积等工艺带来的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 凹槽 制作方法 三维 nand 存储器 | ||
【主权项】：
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