[发明专利]三维存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 202010001561.9 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111162085B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 伍术;黄诗琪;薛磊;华子群 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/20 | 分类号： | H10B43/20;H10B43/30;H10B43/00;H10B41/30;H10B41/20;H10B41/00 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器及其制作方法。所述三维存储器包括：衬底；形成于所述衬底上的堆栈层；形成于所述堆栈层上方的封装层；以及，与所述封装层连接，并沿垂直于所述衬底的纵向延伸至所述堆栈层底部的衬底上的金属通道组件；其中，所述金属通道组件供氢通过并扩散至所述堆栈层，从而提高堆栈层中栅极界面的修复效果，进而提高三维存储器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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