[发明专利]改善阶梯结构中的半隔离字线的蚀刻裕量的虚设字线触点在审
申请号: | 201980101769.3 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN114600243A | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 刘浏;孙川;马洪 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 姜飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 具有三维(3D)阶梯存储器堆叠的存储器设备包括邻近半隔离连接器的虚设连接器。存储器设备包括堆叠在3D阶梯堆叠中的多条字线,包括在阶梯的区域的边缘处的字线。存储器设备包括垂直连接器,这些垂直连接器穿过3D阶梯堆叠上的隔离层来将字线与访问层中的导电线相连接。阶梯的区域的边缘处的字线具有垂直连接器,该垂直连接器在一侧将与一连接器相邻,在另一侧则不会。存储器设备包括在边缘上的字线的垂直连接器的边缘侧的至少一个虚设垂直连接器,其中虚设垂直连接器不将3D阶梯堆叠的字线电连接到访问层中的导电线。 | ||
搜索关键词: | 改善 阶梯 结构 中的 隔离 蚀刻 虚设 触点 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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