[发明专利]利用离子注入制造氮化镓衬底的方法在审
| 申请号： | 201980086999.7 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113261076A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 朴在勤;沈泰宪;沈宰亨;朴振成;李在彦 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/3105;H01L21/762;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 郑乐;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及利用离子注入工艺来以自分离制造氮化镓衬底的技术，氮化镓衬底的制造方法可包括：在衬底上形成第一氮化镓层的步骤；通过向上述第一氮化镓层中注入氢离子来形成分离层的步骤；研磨上述衬底、所形成的上述第一氮化镓层及所形成的上述分离层的边缘的步骤；在上述边缘被研磨的第一氮化镓层上形成第二氮化镓层的步骤；以及使所形成的上述第二氮化镓层从上述边缘被研磨的第一氮化镓层中自分离的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 离子 注入 制造 氮化 衬底 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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