[发明专利]多晶金刚石自立基板的制造方法在审
| 申请号： | 201980084289.0 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN113544318A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 古贺祥泰 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够制造层叠有高品质的化合物半导体层的多晶金刚石自立基板的多晶金刚石自立基板的制造方法。将含有金刚石粒子的溶液涂布于化合物半导体基板(10)上，然后，对化合物半导体基板(10)实施热处理，由此使金刚石粒子(14)附着于化合物半导体基板(10)上。以金刚石粒子(14)为核心，通过化学气相沉积法，在化合物半导体基板(10)上使厚度为100μm以上的多晶金刚石层(16)生长。然后，对化合物半导体基板(10)进行减厚而形成化合物半导体层(18)。经这些工序，获得多晶金刚石层(16)作为化合物半导体层(18)的支撑基板而发挥作用的多晶金刚石自立基板(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 金刚石 自立 制造 方法 | ||
【主权项】：
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