[发明专利]具有选择栅极晶体管的铁电存储器器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201980081329.6 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113196480A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | J·阿尔斯迈耶;张艳丽 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;G11C11/22;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种存储器单元，该存储器单元包括铁电存储器晶体管，以及与铁电存储器晶体管共享公共半导体沟道、公共源极区和公共漏极区的选择栅极晶体管。选择栅极晶体管控制公共源极区和公共半导体沟道之间的访问。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择 栅极 晶体管 存储器 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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