[发明专利]形成装置的方法及相关装置与电子系统在审
| 申请号： | 201980072086.X | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN112970122A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | S·E·西里斯;R·甘地;D·V·N·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/02;H01L29/66;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成装置的方法包括在上覆于导电触点结构的其他电介质结构上方形成电介质结构，所述电介质结构通过沟槽彼此分离且正交于所述其他电介质结构及所述导电触点结构横向延伸。在所述沟槽内所述电介质结构的经暴露侧表面上形成导电栅极结构。在所述沟槽内所述导电栅极结构的经暴露侧表面上形成电介质氧化物结构。移除所述其他电介质结构的经暴露部分以形成隔离结构。在所述沟槽内所述电介质氧化物结构及所述隔离结构的经暴露侧表面上形成半导电支柱。所述半导电支柱与所述导电触点结构电接触。在所述半导电支柱的上表面上形成额外导电触点结构。还描述一种装置、一种存储器装置及一种电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 装置 方法 相关 电子 系统 | ||
【主权项】：
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