[发明专利]形成装置的方法及相关装置与电子系统

权利要求书

1.一种形成装置的方法，其包括：

在上覆于导电触点结构的其他电介质结构上方形成电介质结构，所述电介质结构通过沟槽彼此分离且正交于所述其他电介质结构及所述导电触点结构横向延伸；

在所述沟槽内所述电介质结构的经暴露侧表面上形成导电栅极结构；

在所述沟槽内所述导电栅极结构的经暴露侧表面上形成电介质氧化物结构；

移除所述其他电介质结构的经暴露部分以形成隔离结构；

在所述沟槽内所述电介质氧化物结构及所述隔离结构的经暴露侧表面上形成半导电支柱，所述半导电支柱与所述导电触点结构电接触；及

在所述半导电支柱的上表面上形成额外导电触点结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在形成所述额外导电触点结构之前：

在所述半导电支柱的经暴露表面上形成电介质氧化物材料；

至少在所述沟槽内所述电介质氧化物材料的经暴露侧表面上形成额外导电栅极结构；

在所述额外导电栅极结构及所述电介质氧化物材料的经暴露表面上形成牺牲材料；

平坦化所述电介质结构、所述导电栅极结构、所述电介质氧化物结构、所述半导电支柱、所述电介质氧化物材料、所述额外导电栅极结构及所述牺牲材料；

使所述导电栅极结构及所述额外导电栅极结构的上表面凹入；及

至少在所述导电栅极结构及所述额外导电栅极结构的所述凹入上表面上形成电介质材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述半导电支柱的经暴露表面上形成电介质氧化物材料包括：

用所述电介质氧化物材料部分地填充所述沟槽的剩余部分；及

用所述电介质氧化物材料完全填充正交于所述沟槽延伸的额外沟槽。

4.根据权利要求2所述的方法，其中：

在所述半导电支柱的经暴露表面上形成电介质氧化物材料包括：

用所述电介质氧化物材料部分地填充所述沟槽的剩余部分；及

用所述电介质氧化物材料部分地填充正交于所述沟槽延伸的额外沟槽；且

至少在所述沟槽内所述电介质氧化物材料的经暴露侧表面上形成额外导电栅极结构包括在所述沟槽内所述电介质氧化物材料的所述经暴露侧表面上及在所述额外沟槽内所述电介质氧化物材料的额外经暴露侧表面上形成所述额外导电栅极结构，使得所述额外导电栅极结构的部分朝向所述导电栅极结构横向延伸。

5.根据权利要求2所述的方法，其中平坦化所述电介质结构、所述导电栅极结构、所述电介质氧化物结构、所述半导电支柱、所述电介质氧化物材料、所述额外导电栅极结构及所述牺牲材料包括移除所述电介质氧化物材料及所述牺牲材料的部分，以分别形成额外电介质氧化物结构及抗蚀剂结构。

6.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在使所述导电栅极结构的所述上表面凹入之后：

移除所述电介质结构以在彼此横向邻近的至少一些所述导电栅极结构之间形成开口；及

移除所述牺牲材料的剩余部分以在彼此纵向邻近的至少一些所述额外导电栅极结构之间形成额外开口。

7.根据权利要求6所述的方法，其中至少在所述导电栅极结构及所述额外导电栅极结构的所述凹入上表面上形成电介质材料包括：

用所述电介质材料部分地填充所述开口以在所述至少一些所述导电栅极结构之间形成气隙；及

用所述电介质材料部分地填充所述额外开口以在所述至少一些所述额外导电栅极结构之间形成额外气隙。

8.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在使所述导电栅极结构的所述上表面凹入之后移除所述牺牲材料的剩余部分以在彼此横向邻近的至少一些所述额外导电栅极结构之间形成开口。

9.根据权利要求8所述的方法，其中至少在所述导电栅极结构及所述额外导电栅极结构的所述凹入上表面上形成电介质材料包括用所述电介质材料基本上完全填充所述开口。