[发明专利]一种改善异质结太阳能电池性能的方法在审
| 申请号： | 201980070320.5 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN112930583A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 布雷特·哈勒姆;马修·赖特;文勇·金;丹妮·陈 | 申请（专利权）人： | 新南创新私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L31/072;H01L31/18;H01L31/20;H01L51/42 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种快速处理异质结太阳能电池的方法，该异质结太阳能电池使用仅掺杂有n型掺杂剂的硅晶片制造，以改善表面钝化和载流子传输性能，该方法使用以下步骤：提供异质结太阳能电池，该太阳能电池具有n型硅基板和多个金属触点，该n型硅基板仅掺杂n型掺杂剂，浓度大于1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 异质结 太阳能电池 性能 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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