[发明专利]堆叠式存储器阵列及其形成方法

摘要

在形成堆叠式存储器阵列的实例中，形成交替的第一及第二电介质的堆叠。穿过所述堆叠形成电介质延伸部，使得所述电介质延伸部的第一部分在所述堆叠的第二区域中的第一组半导体结构与第二组半导体结构之间的所述堆叠的第一区域中，并且所述电介质延伸部的第二部分延伸到不包含所述第一及第二半导体结构的所述堆叠的第三区域中。穿过所述第一区域形成开口，同时所述电介质延伸部将所述第三区域中的所述交替的第一及第二电介质耦合到所述第二区域中的所述交替的第一及第二电介质。