[发明专利]发光二极管和发光二极管的制造方法在审
申请号: | 201980064151.4 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN112771682A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 郭度英;和田胜;具滋铭;金恩惠;朴相武;杨善雅;吴旼燮;李胤石;赵莹炅 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/00;H01L33/42;H01L33/62;H01L33/10;H01L27/15 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 杨姗 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种发光二极管(LED)包括:器件基板;第一半导体层,在所述器件基板上方并且掺杂有n型掺杂剂;第二半导体层,在所述第一半导体层上方并且掺杂有p型掺杂剂;有源层,在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且被配置为提供光;透明电极层,与所述第二半导体层的上部相邻;以及第一电极焊盘和第二电极焊盘,在所述器件基板和所述第一半导体层之间,所述第一电极焊盘与所述第一半导体层电连接并且所述第二电极焊盘与所述第二半导体层电连接,其中,由所述有源层提供的光沿从所述有源层到所述第二半导体层的方向照射到外部。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980064151.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自动车辆的相机评估技术
- 下一篇:液晶化合物取向层转印用薄膜