[发明专利]发光二极管和发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管LED，包括：

器件基板；

第一半导体层，在所述器件基板上方并且掺杂有n型掺杂剂；

第二半导体层，在所述第一半导体层上方并且掺杂有p型掺杂剂；

有源层，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且被配置为提供光；

透明电极层，与所述第二半导体层的上部相邻；以及

第一电极焊盘和第二电极焊盘，在所述器件基板和所述第一半导体层之间，所述第一电极焊盘与所述第一半导体层电连接并且所述第二电极焊盘与所述第二半导体层电连接，

其中，由所述有源层提供的光沿从所述有源层到所述第二半导体层的方向照射到外部。

2.根据权利要求1所述的LED，其中，

所述n型掺杂剂是Si、Ge、Se、Te和C中的至少一种；并且

所述p型掺杂剂是Mg、Zn、Be、Ca、Sr和Ba中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的LED，还包括：

反射层，在所述第一半导体层下方，

其中，所述反射层沿从所述有源层到所述第二半导体层的方向反射由所述有源层提供的光。

4.一种发光二极管LED，包括：

支撑基板；

第二半导体层，在所述支撑基板上方并且掺杂有p型掺杂剂；

第一半导体层，在所述第二半导体层上方并且掺杂有n型掺杂剂；

有源层，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且被配置为提供光；

第一电极焊盘和第二电极焊盘，在所述第一半导体层上方，所述第一电极焊盘与所述第一半导体层电连接并且所述第二电极焊盘与所述第二半导体层电连接；

透明电极层，在所述第二半导体层下方；以及

分离层，在所述支撑基板和所述透明电极层之间。

5.根据权利要求4所述的LED，其中，所述支撑基板是砷化镓基板、蓝宝石基板、硅基板或塑料基板。

6.根据权利要求4所述的LED，其中，所述透明电极层和所述分离层被布置为与所述第二半导体层相对应，使得所述支撑基板的一部分被暴露。

7.一种LED的制造方法，所述制造方法包括：

在生长基板上形成包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的外延结构；

将支撑基板附接到所述外延结构；

将所述生长基板与附接有所述支撑基板的所述外延结构分离；

在与所述生长基板已分离的所述外延结构上形成第一电极和第二电极；

形成与所述第一电极电连接的第一电极焊盘，并且形成与所述第二电极电连接的第二电极焊盘；以及

去除所述外延结构的预定的区域。

8.根据权利要求7所述的制造方法，还包括：

在附接所述支撑基板之前，在所述支撑基板上形成分离层和透明电极层，

其中，附接所述支撑基板包括：附接所述支撑基板，使得所述分离层和所述透明电极层在所述支撑基板和所述外延结构之间。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，形成所述分离层和所述透明电极层包括：

去除所述分离层和所述透明电极层的预定的区域。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述透明电极层、所述分离层和所述支撑基板被依次布置在所述第二半导体层上。

11.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘形成在所述第一半导体层下方。

12.根据权利要求7所述的制造方法，其中，分离所述生长基板包括：

通过激光剥离法或化学剥离法来分离所述生长基板。

13.根据权利要求7所述的制造方法，还包括：

在去除所述预定的区域之后，将所述LED与所述支撑基板分离。