[发明专利]基板处理装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980061909.9 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN112740374A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 岛田宽哲;谷山智志 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;杜嘉璐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置，其具备：基板保持件，其将多个基板以预定的间隔排列并保持；反应管，其具备将上端封闭的顶棚和在下方能够使上述基板保持件出入的开口，且容纳上述基板保持件；加热机构，其设于上述反应管的周围，且对内部进行加热；气体供给机构，其对在上述反应管内保持于上述基板保持件的上述多个基板供给处理气体；气体排出机构，其与上述反应管内连通，且对上述反应管内的气氛进行排气；以及中断过滤器，其位于在上述反应管内从上述气体供给机构向上述气体排出机构的气体的流动的中途，且设于比上述基板靠下游的位置，从废气接受热，并且将供给来的惰性气体供给至上述反应管内。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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