[发明专利]量子处理系统在审
| 申请号： | 201980054854.9 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN112823136A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | B·瓦赞;J·萨尔菲;S·罗格 | 申请（专利权）人： | 新南创新有限公司 |
| 主分类号： | B82Y10/00 | 分类号： | B82Y10/00;G06N10/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种量子处理系统。在一个实施例中，量子处理系统包括：定位在硅晶体衬底中的多个施主原子，每个施主原子定位在施主位点处；以及多个导电控制电极，多个导电控制电极布置在施主原子周围，以将施主原子作为量子比特操作。其中，多个施主原子中的至少两对最近的相邻施主原子沿着硅晶体衬底的[110]方向布置，并且被配置为作为量子比特操作。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 处理 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新南创新有限公司，未经新南创新有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980054854.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液滴带通过滤器
- 下一篇：消毒设备和废物处理方法
- 同类专利
- 用于确定量子纠缠态信息的装置和方法-202180089491.X
- G·瓦肯;K·A·劳申巴赫 - 量子比特移动与存储有限责任公司
- 2021-11-23 - 2023-09-29 - B82Y10/00
- 一种用于确定量子纠缠态信息的系统包括被配置为生成多个第一光子和多个第二光子的纠缠光子源，其中第一光子和第二光子在两个或更多个基中纠缠，使得每个光子的可用量子信息可以包括附加的量子信息。第一接收器生成包括第一有序列表的状态值的子集的第一共享列表，并且第二接收器生成包括第二有序列表的状态值的子集的第二共享列表。有序列表能够是时间区间、时间戳或微分时间。接收器调制测量分辨率以实现性能度量。处理器比较第一共享列表与第二共享列表以识别匹配的状态值并导出纠缠的量子态信息。纠缠的量子态信息能够被用于同步时钟、检测和检测错误，或生成共享秘密。
- 量子处理系统-202180074565.2
- M·Y·西蒙斯;M·G·豪斯;S·K·戈尔曼;M·R·霍格 - 硅量子计算私人有限公司
- 2021-11-04 - 2023-09-29 - B82Y10/00
- 本公开的方面针对量子处理系统，其包括位于半导体衬底中的多个施主原子量子位。该系统还包括被配置为控制施主原子量子位的多个控制栅极。该系统还包括被制作在半导体衬底上/中的SLQD电荷传感器。SLQD电荷传感器被配置为感测位于SLQD电荷传感器的感测范围内的两个或更多个施主原子量子位的自旋状态。
- 具有混合资源状态的可扩展光子量子计算-202180073543.4
- E·布拉萨;I·特齐特里恩;K·萨巴帕蒂;G·多菲奈斯;I·德安德;S·古哈;N·梅尼库齐;R·亚历山大;B·巴拉吉奥拉;T·马特苏拉;B·沃尔什 - 赞纳杜量子技术股份有限公司
- 2021-09-29 - 2023-07-28 - B82Y10/00
- 一种可扩展、容错的光子量子计算系统包括多个光学电路、多个光子数分辨检测器(PNR)、多路复用器和集成电路(IC)。在操作期间，光学电路经由高斯玻色子采样(GBS)生成输出状态，并且PNR基于输出状态生成量子位团簇。多路复用器多路复用量子位团簇并用挤压真空状态替换空模式，以生成多个混合资源状态。IC将混合资源状态拼接成更高维的团簇状态，其包括用于容错量子计算的状态。
- 由金属结构限定的硅量子装置结构-202180047774.8
- 索非亚·帕托马基;约翰·莫顿 - 量子运动科技有限公司
- 2021-08-05 - 2023-06-02 - B82Y10/00
- 提供了一种硅基量子装置。该装置包括：第一金属结构(501)；与第一金属结构横向间隔开的第二金属结构(502)；以及由第一金属结构与第二金属结构之间的间隔限定的L形长形通道(520)；其中该长形通道具有连接该长形通道的两个长形部分的顶点(505)。该装置进一步包括：位于长形通道中的第三金属结构(518)，即介体栅；第四金属结构(531)，第四金属结构(531)形成布置在第三金属结构的第一端的第一势垒栅；以及第五金属结构(532)，第五金属结构(532)形成布置在所述第三金属结构的第二端处的第二势垒栅。第一金属结构、第二金属结构、第三金属结构、第四金属结构和第五金属结构被配置为分别连接至第一电势、第二电势、第三电势、第四电势和第五电势。第一电势、第二电势、第三电势、第四电势和第五电势是可控制的以限定电势阱，从而将量子电荷载流子限制在长形通道下方的长形量子点内。第四电势和第五电势以及第四金属结构和第五金属结构的位置分别限定长形通道的第一端和第二端。该势阱的宽度是由该第一金属结构和第二金属结构的位置及其对应的电势来限定的；并且该势阱的长度是由第四金属结构和第五金属结构的位置及其对应的电势来限定的。第三电势是可控制的以调整电势阱中的量子电荷载流子能级。
- 半导体传感器-202180058074.9
- 宫川成人;牛场翔太;品川步;冈优果;木村雅彦 - 株式会社村田制作所
- 2021-08-17 - 2023-05-30 - B82Y10/00
- 半导体传感器(1)具备：绝缘基板(11)；半导体片(12)，配置在绝缘基板(11)上，包含石墨烯或者碳纳米管；源极电极(13)以及漏极电极(14)，配置在绝缘基板(11)上，与半导体片(12)电连接；氧化膜(15)，配置为覆盖半导体片(12)的表面，包含二氧化硅、矾土或者它们的复合氧化物；和受体(16)，配置在氧化膜(15)的表面。
- 量子信息的存储及传导-202180058802.6
- S·西蒙斯;E·麦夸里 - 光子公司
- 2021-07-28 - 2023-05-09 - B82Y10/00
- 用于存储及传导量子信息的方法及设备提供硅中的发光中心，所述发光中心经可控地耦合以经历与例如超导量子位的第一量子位的量子相互作用。举例来说，所述发光中心可为T中心或T中心系集。可以所述T中心的不成对电子或空穴自旋及/或三个核自旋中的一或多者存储相同或不同量子信息。稍后可将所述经存储量子信息返回到所述第一量子位或传送到可见光子状态。
- 量子计算单元、单光子源、量子计算装置及量子计算方法-202180047077.2
- 青木隆朗 - 学校法人早稻田大学
- 2021-07-08 - 2023-03-14 - B82Y10/00
- 为了使捕获有多个量子系的量子计算单元(13‑m)确定性地动作，采用具有如下方案的量子计算单元进行量子计算：纳米光纤(131‑m)，其介由锥形部与光纤(12)光学连接着，所述光纤(12)用于传送入射进来的光子；以及多个量子系(132‑m)，其设置在纳米光纤的外侧，且沿纳米光纤的长度方向间隔设置。其中，至少任一量子系用作与光子相互作用的量子比特。
- 具有用于减小寄生电容的附加底部沟道的全环绕栅极(GAA)晶体管和制造方法-202180036833.1
- 袁骏;P·冯;S·S·宋;K·雷姆 - 高通股份有限公司
- 2021-04-28 - 2023-02-03 - B82Y10/00
- 具有用于减小寄生电容的附加底部沟道(234)的全环绕栅极(GAA)晶体管(200)及其制造方法，包括被定位在源极区域(230)与漏极区域(232)之间的一个或多个沟道(210)。可以是纳米线或纳米板半导体的一个或多个沟道被栅极材料(212)围绕。GAA晶体管还包括附加半导体沟道(234)，附加半导体沟道(234)在GAA晶体管中的栅极材料的底部区段与绝缘体上硅(SOI)衬底(218，220)之间。有时被称为底部沟道的该附加沟道可以比GAA晶体管中的其他沟道薄，并且可以具有小于其长度的厚度。
- 量子点装置-202180020732.5
- 迈克尔·福加蒂;约翰·莫顿 - 量子运动科技有限公司
- 2021-03-12 - 2022-11-04 - B82Y10/00
- 提供了一种用于限制电荷载流子的硅基量子装置。该装置包括：衬底，其具有第一平面区域(137)；硅层(32)，其形成衬底的一部分并且包括具有边缘(34)和第二平面区域(135)的台阶(33)，其中第二平面区域(135)大体上平行于第一平面区域(137)并且从第一平面区域(137)偏移；第一电绝缘层(42)，其设置在硅层(32)上、覆盖台阶(33)；第一金属层(51)，其设置在第一电绝缘层(42)上、覆盖台阶(33)、被布置成电连接，使得可以诱发第一限制区域(10)，可以将电荷载流子或多个电荷载流子限制在边缘(34)处的第一约束区域(10)中；以及第二金属层(52)，其设置成覆盖硅层的第二平面区域(135)，其中第二金属层：与第一金属层(51)电隔离；并且被布置成电连接，使得可以诱发第二限制区域(11)，可以将电荷载流子或多个电荷载流子限制在第二限制区域中，第二限制区域仅在硅层(32)的在第二金属层(52)下方的第二平面区(135)中，并且第一限制区域10)可耦合至第二限制区域(11)；其中，第一限制区域10)在垂直于边缘(34)的方向上从第二限制区域(11)移位。还提供了一种组装硅基量子装置的方法和一种使用硅基量子装置的方法。
- 具有绝缘体的晶体管-202180019453.7
- 陆叶;杨海宁;鲍军静 - 高通股份有限公司
- 2021-01-29 - 2022-10-25 - B82Y10/00
- 可以改进栅极全环绕晶体管以提供更好的晶体管电路性能。在一个示例中，晶体管电路可以包括电介质或气隙(245)作为电路中晶体管垂直堆叠的沟道(220、240、260)之间的绝缘体。在另一示例中，晶体管可以包括由第一金属(270)包围的第一沟道(260)、由靠近第一沟道的第二金属(250)包围的第二沟道(240)以及第一金属和第二金属之间的绝缘体(245)(诸如电介质或气隙)。沟道可以是纳米片。绝缘体有助于减少晶体管的源极/漏极区域和金属填充区域之间的寄生电容。
- 可扩展可编程的相干波形发生器-202080055470.1
- J·Z·阿皮斯多夫;J·M·威廉姆斯;P·D·所罗门;J·M·阿米尼 - 爱奥尼克公司
- 2020-07-24 - 2022-05-17 - B82Y10/00
- 本公开描述了具有可缩放和可编程相干波形发生器的系统的各个方面。描述了一种网络和通过该网络使用的数模转换(DAC)卡，其中，每个DAC卡具有时钟分频器/复制器设备，该时钟分频器/复制器设备具有输入SYNC引脚、数字逻辑组件和一个或多个DAC组件，并且DAC组件的每个输出用于控制用于量子信息处理(QIP)系统的单独量子位的光束。所述网络还包括向DAC卡中的时钟分频器/复制器设备提供时钟信号的第一分配网络，以及向DAC卡提供起始信号的第二分配网络，其中，当所述起始信号被断言时，所述DAC卡中的数字逻辑组件使用所述起始信号来断言输入SYNC引脚，除非所述起始信号被所述数字逻辑组件屏蔽。
- 用于模拟量子系统的量子变分方法、装置及存储介质-202080030879.8
- 李曲空;孙启明 - 腾讯美国有限责任公司
- 2020-06-12 - 2021-11-26 - B82Y10/00
- 本公开内容公开了用于获得哈密顿量系统的基态波函数的最优变分参数的方法。该方法包括初始化多个变分参数并且将变分参数发送到量子计算部分以输出多个测量结果。该方法包括将测量结果传输到经典计算部分以基于多个测量结果和更新规则更新多个变分参数，并且确定测量的能量是否满足收敛规则。当测量的能量不满足收敛规则时，该方法包括将多个更新的变分参数发送到量子计算部分以用于下一迭代；并且当测量的能量满足收敛规则时，该方法包括获得哈密顿量系统的多个最优变分参数。
- 用于紧凑的和高数据存储电子器件的基于单个纳米颗粒的非易失性存储系统-201980074725.6
- M·莱兹邱 - 哈利法科技大学
- 2019-11-13 - 2021-07-23 - B82Y10/00
- 提供有一种纳米存储系统的结构。所公开的单位纳米存储单元包括布置在半导体衬底(301)的表面上的单个隔离的纳米颗粒以及相邻的纳米‑肖特基接触(303)。纳米颗粒用作存储位置，在该存储位置处纳米‑肖特基接触(303)在相对小的电压下用作电子的进或出半导体衬底(301)的源或漏。可以通过对纳米颗粒充电或放电而打开(读数1)或关闭(读数0)通过纳米‑肖特基接触(303)的电流。由于电接触是由衬底(301)的背接触和表面上的纳米‑肖特基接触(303)形成的，并且电荷被存储在非常小的纳米颗粒中，因此这允许获得最终的器件的缩小。这也将显著增加芯片上的纳米存储单元的数量。此外，由于小的纳米‑肖特基接触(301)以及用于存储电荷的纳米颗粒的小的尺寸，充电和放电(写/擦除)以及读电压比基于CMOS的闪存单元所需的小。
- 量子处理系统-201980054854.9
- B·瓦赞;J·萨尔菲;S·罗格 - 新南创新有限公司
- 2019-07-19 - 2021-05-18 - B82Y10/00
- 公开了一种量子处理系统。在一个实施例中，量子处理系统包括：定位在硅晶体衬底中的多个施主原子，每个施主原子定位在施主位点处；以及多个导电控制电极，多个导电控制电极布置在施主原子周围，以将施主原子作为量子比特操作。其中，多个施主原子中的至少两对最近的相邻施主原子沿着硅晶体衬底的[110]方向布置，并且被配置为作为量子比特操作。
- 在基础结构上施加涂层-201980046926.5
- A·E·范哈威梅伦;R·古特詹斯 - 齐莱尔控股公司
- 2019-06-06 - 2021-02-23 - B82Y10/00
- 本发明涉及一种为基础结构至少部分地提供具有微观聚合物结构的固化聚合物涂层的方法和装置。该方法包括以下步骤：在基础结构的至少一部分上施加未固化聚合物材料，用具有第一符号的电荷使未固化聚合物材料带电；在所述未固化聚合物材料的至少一部分的上方的一定距离处提供至少一个电极；用具有与第一符号相反的第二符号的电荷使至少一个电极带电，从而使未固化聚合物材料静电吸向至少一个电极并且使未固化聚合物材料变形为包括一个或多个具有形状的未固化微观聚合物结构的未固化结构化聚合物材料；以及使一个或多个未固化微观聚合物结构固化，从而形成固化聚合物涂层。
- 在半导体表面中选择性掺入掺杂剂原子的方法-201980029681.5
- M·西蒙斯;J·凯泽尔 - 新南创新有限公司
- 2019-05-02 - 2020-12-15 - B82Y10/00
- 本发明涉及用于在第IV族半导体晶格的表面部分中嵌入确定数量的掺杂剂原子的方法。该方法包括以下步骤：在表面部分上形成一个或多个微影位点；在低于100K的温度下，使用具有包含掺杂剂原子及氢原子的分子的气体以一方式向表面部分定量给料，使得分子的一部分键合至表面部分；以及通过将一定量的能量转移至掺杂剂原子，将一个或多个掺杂剂原子掺入相应微影位点。掺入微影位点中的掺杂剂原子的数量是确定的，并且与微影位点的尺寸相关。
- 中性原子量子信息处理器-201880059408.2
- A·基斯林·康特莱拉斯;H·博南;S·施瓦茨;H·J·莱文;A·奥莫兰;M·D·卢金;V·武莱蒂克;M·恩德雷斯;M·格雷纳;H·皮査勒;L·周;王胜涛;崔淳元;金东圭;A·S·齐布罗夫 - 哈佛学院院长等;麻省理工学院;加利福尼亚技术学院
- 2018-07-13 - 2020-12-04 - B82Y10/00
- 系统和方法涉及：将原子排列成1D和/或2D阵列；例如使用本文所述的激光操纵技术和高保真激光系统来将所述原子激发成里德伯态并使所述原子阵列演化；以及观察所得的最终状态。此外，可以进行改进，诸如提供对所述组装的原子阵列的高保真度和相干控制。示例性问题可以使用用于原子的排列和控制的系统和方法来解决。
- 用于对操作进行相位控制的原子量子位的光学控制-201980007390.6
- 克里斯托弗·门罗;马科·塞蒂娜;诺伯特·林克 - 马里兰大学帕克分校
- 2019-01-04 - 2020-11-06 - B82Y10/00
- 本公开描述了用于相位控制操作的原子量子位的光学控制的各个方面。更具体地，本公开描述了通过施加到量子逻辑门的控制场并且与量子位之间的广义相互作用相结合来相干地控制介导的原子量子位上的量子相位的方法。识别光学/量子位相互作用的各种属性和设置(例如，原子能量结构、激光束几何形状、偏振、光谱、相位、背景磁场)以用于影响和存储量子位中的相位。本公开还描述了如何最佳地匹配这些控制属性，以便控制和稳定量子位相互作用并允许扩展的相位稳定的量子门序列。
- 在压印光刻工艺中配置光学层-201780074523.2
- V·辛格;M·N·米勒;F·Y·徐 - 分子印记公司
- 2017-09-14 - 2019-07-16 - B82Y10/00
- 配置光学层的压印光刻方法包括利用图案化模板在衬底的一面上压印具有第一数量级的尺寸的第一特征，同时利用图案化模板在衬底的该面上压印具有第二数量级的尺寸的第二特征，第二特征尺寸确定且布置成在衬底与相邻表面之间限定一间隙。
- 层状过渡金属二硫属化物纳米粒子的溶液相合成-201780055916.9
- 奈杰尔·皮克特;翁布雷塔·马萨拉 - 纳米2D材料有限公司
- 2017-09-12 - 2019-05-21 - B82Y10/00
- 合成过渡金属二硫属化物(TMDC)材料的二维(2D)纳米粒子的方法使用分子簇化合物。该方法使得能够高度控制2D TMDC纳米粒子的形状、尺寸和组成，并且可以用于大量制备具有均匀性质的材料。
- 通过修饰的纳米结构进行传感的方法和系统-201680081327.3
- 费尔南多·帕托洛斯基;瓦迪姆·卡利夫斯基;玛丽娜·斯凡辛奈特斯基 - 拉莫特特拉维夫大学有限公司
- 2016-12-08 - 2019-03-15 - B82Y10/00
- 本发明揭示一种检测一液体中(例如一液体中)的一标记物(例如标记物)的存在和/或浓度的方法。所述方法包括：使所述液体与一传感器接触，所述传感器具有一固定的亲和性部分，所述亲和性部分与所述标记物相互作用，并且所述传感器配置用以因应于所述相互作用产生一可检测的信号。所述方法进一步包括：将所述液体从所述传感器洗涤去；以及根据在所述洗涤的一开始时间之后于一预定时间段开始的一时间窗口内从所述传感器所接收的一可检的测信号，来检测所述标记物的存在和/或浓度。
- 用于将纳米线从流体传递到衬底表面的方法-201780037548.5
- 尼克拉斯·莫滕松;雅伊梅·卡斯蒂略·莱昂 - 索尔伏打电流公司
- 2017-06-12 - 2019-02-05 - B82Y10/00
- 本发明提供了一种用于将定向纳米线的组合件从流体传递到衬底表面的方法，其包含：向容器提供(图2A)流体，所述流体包括第一液体(11)、第二液体(12)以及多根纳米线(25)，其中所述第一和第二液体相分离成下相、上相以及在所述下相和所述上相之间的界面(13)；其中所述纳米线被官能化为在所述界面处垂直对准成纳米线聚集体；其中所述流体具有组成被配置为改变所述上相的组成或者所述下相的组成以抵消所述界面的膨胀(图2B)的物质；以及使所述纳米线聚集体与衬底表面相接触，使得所述纳米线的大部分在所述衬底上相对于彼此对准。
- 神经形态网络-201680039398.7
- S·A·布朗;S·福斯特纳;S·K·博斯 - 坎特伯雷大学
- 2016-07-01 - 2018-06-08 - B82Y10/00
- 本文公开了一种神经形态渗透网络(100)。该网络包括：衬底(102)，所述衬底具有至少两个电触点(104A、104B)；多个纳米颗粒(106、108、110)，所述多个纳米颗粒分布在衬底(102)上，所述纳米颗粒中的至少一些定位在至少两个电触点中的至少两个之间，纳米颗粒的表面覆盖率处于渗透阈值的容限内；和至少一个忆阻性元件(116)，所述忆阻性元件至少部分地位于纳米颗粒之间的间隙中或者纳米颗粒组的间隙中，否则所述纳米颗粒或者纳米颗粒组直接相互连接，所述忆阻性元件(多个忆阻性元件)至少部分提供了活性增强的至少一条持久路径(118、120)。本文公开了制造纳米颗粒渗透网络或者其部件的方法以及由这样的方法形成的纳米颗粒渗透网络。
- 用于嵌段共聚物自组装的组合物和方法-201680058211.8
- 金志勋;殷建;吴恒鹏;单槛会;林观阳 - AZ电子材料卢森堡有限公司
- 2016-10-13 - 2018-06-08 - B82Y10/00
- 本发明涉及含有可交联和可接枝部分的新型共聚物，包含这些新型共聚物和溶剂的新型组合物，以及使用这些新型组合物在基底上形成交联和接枝的中性层膜的方法，该新型组合物用于在该中性层涂覆的基底上配向嵌段共聚物(BCP)的微结构域的方法中，例如自组装和定向自组装。该新型组合物包含至少一种含有至少一个结构(1)的单元、至少一个结构(2)的单元、至少一个结构(3)的单元，一个
端基和一个具有结构(1')的端基的新型无规共聚物；
其中R1选自C1‑C8烷基、C2‑C8氟烷基、C4‑C8部分氟代的烷基部分、C4‑C8环烷基、C4‑C8环氟烷基、C4‑C8部分氟代的环烷基和C2‑C8羟基烷基；R2、R3和R5独立地选自H、C1‑C4烷基、CF3和F；R4选自H、C1‑C8烷基、C1‑C8部分氟代的烷基部分和d‑C‑e氟烷基，n的范围为1至5，R6选自H、F、d‑C‑e烷基和d‑C‑e氟烷基，m的范围为1至3，并且n'的范围为1至5，并且n”的范围为1至5，n”'的范围为1至5，R7为C1至C8烷基和X是‑CN或烷氧基羰基部分R8‑O‑(C＝O)‑，其中Re是C1‑C8烷基并且
表示端基与聚合物的连接点。该新型聚合物，组合物和方法可用于制造电子器件。
- 具有碳系导体和量子点的光电平台以及包含此种平台的晶体管-201280044149.9
- 耶拉西莫斯·康斯坦塔托斯;弗兰克·科彭斯 - 光子科学研究所
- 2012-07-31 - 2014-09-03 - B82Y10/00
- 本发明包含一种光电平台，其具有碳系导电层(2)和在该碳系导电层顶部作为光吸收材料的胶体量子点层(1)。所述碳系导电层可由石墨烯、被还原的氧化石墨烯或碳纳米管制成。其维持低工作电压的同时，能够获得约106的光电导增益。该平台可以用作晶体管。
- 用于制造和对准纳米线的方法和这种方法的应用-201280051913.5
- 约尔格·阿布席斯 - 约尔格·阿布席斯
- 2012-08-20 - 2014-07-30 - B82Y10/00
- 本发明尤其描述一种用于制造导体结构的方法，所述导体结构具有至少一个硅纳米线（4），所述硅纳米线具有小于50nm的直径并且经由电极（11，13，30）经由至少两个部位接触，并且其中至少一个纳米线（4）和电极（11，13，30）设置在衬底（1，5）上的一个平面中，其特征在于，a）将直径在0.5nm至50nm的范围中的催化活性的金属纳米颗粒放置在绝缘衬底（1）的表面（2）上，b）当温度在300℃至1100℃的范围中、同时持续时间在10min至200min的范围中时，表面和放置在其上的金属纳米颗粒经受包含至少一种气态的硅组分的气流，其中形成至少一个长度在5μm至200μm的范围中的从衬底（1）伸出的纳米线（4）；c）将所述至少一个从衬底（1）的表面伸出的纳米线（4）通过安放具有与绝缘衬底（1）的表面（2）相配合的接触面（6）的次级衬底（5）而放置到一个平面中；d）放置在绝缘衬底（1）上的至少一个纳米线（4）在两个不同的部位上与电极（11，13，30）接触，或者至少一个附着在次级衬底（5）上的纳米线在两个不同的部位上与电极（11，13，30）接触。
- 专利分类
