“B82Y10/00”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果30个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于确定量子纠缠态信息的装置和方法-CN202180089491.X在审
发明人： G·瓦肯;K·A·劳申巴赫 -专利权人：量子比特移动与存储有限责任公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：一种用于确定量子纠缠态信息的系统包括被配置为生成多个第一光子和多个第二光子的纠缠光子源，其中第一光子和第二光子在两个或更多个基中纠缠，使得每个光子的可用量子信息可以包括附加的量子信息。第一接收器生成包括第一有序列表的状态值的子集的第一共享列表，并且第二接收器生成包括第二有序列表的状态值的子集的第二共享列表。有序列表能够是时间区间、时间戳或微分时间。接收器调制测量分辨率以实现性能度量。处理器比较第一共享列表与第二共享列表以识别匹配的状态值并导出纠缠的量子态信息。纠缠的量子态信息能够被用于同步时钟、检测和检测错误，或生成共享秘密。
用于确定量子纠缠信息装置方法

[发明专利]量子处理系统-CN202180074565.2在审
发明人： M·Y·西蒙斯;M·G·豪斯;S·K·戈尔曼;M·R·霍格 -专利权人：硅量子计算私人有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：本公开的方面针对量子处理系统，其包括位于半导体衬底中的多个施主原子量子位。该系统还包括被配置为控制施主原子量子位的多个控制栅极。该系统还包括被制作在半导体衬底上/中的SLQD电荷传感器。SLQD电荷传感器被配置为感测位于SLQD电荷传感器的感测范围内的两个或更多个施主原子量子位的自旋状态。
量子处理系统

[发明专利]具有混合资源状态的可扩展光子量子计算-CN202180073543.4在审
发明人： E·布拉萨;I·特齐特里恩;K·萨巴帕蒂;G·多菲奈斯;I·德安德;S·古哈;N·梅尼库齐;R·亚历山大;B·巴拉吉奥拉;T·马特苏拉;B·沃尔什 -专利权人：赞纳杜量子技术股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：一种可扩展、容错的光子量子计算系统包括多个光学电路、多个光子数分辨检测器(PNR)、多路复用器和集成电路(IC)。在操作期间，光学电路经由高斯玻色子采样(GBS)生成输出状态，并且PNR基于输出状态生成量子位团簇。多路复用器多路复用量子位团簇并用挤压真空状态替换空模式，以生成多个混合资源状态。IC将混合资源状态拼接成更高维的团簇状态，其包括用于容错量子计算的状态。
具有混合资源状态扩展光子量子计算

[发明专利]由金属结构限定的硅量子装置结构-CN202180047774.8在审
发明人：索非亚·帕托马基;约翰·莫顿 -专利权人：量子运动科技有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：提供了一种硅基量子装置。该装置包括：第一金属结构(501)；与第一金属结构横向间隔开的第二金属结构(502)；以及由第一金属结构与第二金属结构之间的间隔限定的L形长形通道(520)；其中该长形通道具有连接该长形通道的两个长形部分的顶点(505)。该装置进一步包括：位于长形通道中的第三金属结构(518)，即介体栅；第四金属结构(531)，第四金属结构(531)形成布置在第三金属结构的第一端的第一势垒栅；以及第五金属结构(532)，第五金属结构(532)形成布置在所述第三金属结构的第二端处的第二势垒栅。第一金属结构、第二金属结构、第三金属结构、第四金属结构和第五金属结构被配置为分别连接至第一电势、第二电势、第三电势、第四电势和第五电势。第一电势、第二电势、第三电势、第四电势和第五电势是可控制的以限定电势阱，从而将量子电荷载流子限制在长形通道下方的长形量子点内。第四电势和第五电势以及第四金属结构和第五金属结构的位置分别限定长形通道的第一端和第二端。该势阱的宽度是由该第一金属结构和第二金属结构的位置及其对应的电势来限定的；并且该势阱的长度是由第四金属结构和第五金属结构的位置及其对应的电势来限定的。第三电势是可控制的以调整电势阱中的量子电荷载流子能级。
金属结构限定量子装置结构

[发明专利]半导体传感器-CN202180058074.9在审
发明人：宫川成人;牛场翔太;品川步;冈优果;木村雅彦 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：半导体传感器(1)具备：绝缘基板(11)；半导体片(12)，配置在绝缘基板(11)上，包含石墨烯或者碳纳米管；源极电极(13)以及漏极电极(14)，配置在绝缘基板(11)上，与半导体片(12)电连接；氧化膜(15)，配置为覆盖半导体片(12)的表面，包含二氧化硅、矾土或者它们的复合氧化物；和受体(16)，配置在氧化膜(15)的表面。
半导体传感器

[发明专利]量子信息的存储及传导-CN202180058802.6在审
发明人： S·西蒙斯;E·麦夸里 -专利权人：光子公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：用于存储及传导量子信息的方法及设备提供硅中的发光中心，所述发光中心经可控地耦合以经历与例如超导量子位的第一量子位的量子相互作用。举例来说，所述发光中心可为T中心或T中心系集。可以所述T中心的不成对电子或空穴自旋及/或三个核自旋中的一或多者存储相同或不同量子信息。稍后可将所述经存储量子信息返回到所述第一量子位或传送到可见光子状态。
量子信息存储传导

[发明专利]量子计算单元、单光子源、量子计算装置及量子计算方法-CN202180047077.2在审
发明人：青木隆朗 -专利权人：学校法人早稻田大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：为了使捕获有多个量子系的量子计算单元(13‑m)确定性地动作，采用具有如下方案的量子计算单元进行量子计算：纳米光纤(131‑m)，其介由锥形部与光纤(12)光学连接着，所述光纤(12)用于传送入射进来的光子；以及多个量子系(132‑m)，其设置在纳米光纤的外侧，且沿纳米光纤的长度方向间隔设置。其中，至少任一量子系用作与光子相互作用的量子比特。
量子计算单元光子装置计算方法

[发明专利]具有用于减小寄生电容的附加底部沟道的全环绕栅极(GAA)晶体管和制造方法-CN202180036833.1在审
发明人：袁骏;P·冯;S·S·宋;K·雷姆 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：具有用于减小寄生电容的附加底部沟道(234)的全环绕栅极(GAA)晶体管(200)及其制造方法，包括被定位在源极区域(230)与漏极区域(232)之间的一个或多个沟道(210)。可以是纳米线或纳米板半导体的一个或多个沟道被栅极材料(212)围绕。GAA晶体管还包括附加半导体沟道(234)，附加半导体沟道(234)在GAA晶体管中的栅极材料的底部区段与绝缘体上硅(SOI)衬底(218，220)之间。有时被称为底部沟道的该附加沟道可以比GAA晶体管中的其他沟道薄，并且可以具有小于其长度的厚度。
具有用于减小寄生电容附加底部沟道环绕栅极 gaa 晶体管制造方法

[发明专利]量子点装置-CN202180020732.5在审
发明人：迈克尔·福加蒂;约翰·莫顿 -专利权人：量子运动科技有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：提供了一种用于限制电荷载流子的硅基量子装置。该装置包括：衬底，其具有第一平面区域(137)；硅层(32)，其形成衬底的一部分并且包括具有边缘(34)和第二平面区域(135)的台阶(33)，其中第二平面区域(135)大体上平行于第一平面区域(137)并且从第一平面区域(137)偏移；第一电绝缘层(42)，其设置在硅层(32)上、覆盖台阶(33)；第一金属层(51)，其设置在第一电绝缘层(42)上、覆盖台阶(33)、被布置成电连接，使得可以诱发第一限制区域(10)，可以将电荷载流子或多个电荷载流子限制在边缘(34)处的第一约束区域(10)中；以及第二金属层(52)，其设置成覆盖硅层的第二平面区域(135)，其中第二金属层：与第一金属层(51)电隔离；并且被布置成电连接，使得可以诱发第二限制区域(11)，可以将电荷载流子或多个电荷载流子限制在第二限制区域中，第二限制区域仅在硅层(32)的在第二金属层(52)下方的第二平面区(135)中，并且第一限制区域10)可耦合至第二限制区域(11)；其中，第一限制区域10)在垂直于边缘(34)的方向上从第二限制区域(11)移位。还提供了一种组装硅基量子装置的方法和一种使用硅基量子装置的方法。
量子装置

[发明专利]具有绝缘体的晶体管-CN202180019453.7在审
发明人：陆叶;杨海宁;鲍军静 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：可以改进栅极全环绕晶体管以提供更好的晶体管电路性能。在一个示例中，晶体管电路可以包括电介质或气隙(245)作为电路中晶体管垂直堆叠的沟道(220、240、260)之间的绝缘体。在另一示例中，晶体管可以包括由第一金属(270)包围的第一沟道(260)、由靠近第一沟道的第二金属(250)包围的第二沟道(240)以及第一金属和第二金属之间的绝缘体(245)(诸如电介质或气隙)。沟道可以是纳米片。绝缘体有助于减少晶体管的源极/漏极区域和金属填充区域之间的寄生电容。
具有绝缘体晶体管

[发明专利]可扩展可编程的相干波形发生器-CN202080055470.1在审
发明人： J·Z·阿皮斯多夫;J·M·威廉姆斯;P·D·所罗门;J·M·阿米尼 -专利权人：爱奥尼克公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：本公开描述了具有可缩放和可编程相干波形发生器的系统的各个方面。描述了一种网络和通过该网络使用的数模转换(DAC)卡，其中，每个DAC卡具有时钟分频器/复制器设备，该时钟分频器/复制器设备具有输入SYNC引脚、数字逻辑组件和一个或多个DAC组件，并且DAC组件的每个输出用于控制用于量子信息处理(QIP)系统的单独量子位的光束。所述网络还包括向DAC卡中的时钟分频器/复制器设备提供时钟信号的第一分配网络，以及向DAC卡提供起始信号的第二分配网络，其中，当所述起始信号被断言时，所述DAC卡中的数字逻辑组件使用所述起始信号来断言输入SYNC引脚，除非所述起始信号被所述数字逻辑组件屏蔽。
扩展可编程相干波形发生器

[发明专利]用于模拟量子系统的量子变分方法、装置及存储介质-CN202080030879.8在审
发明人：李曲空;孙启明 -专利权人：腾讯美国有限责任公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：本公开内容公开了用于获得哈密顿量系统的基态波函数的最优变分参数的方法。该方法包括初始化多个变分参数并且将变分参数发送到量子计算部分以输出多个测量结果。该方法包括将测量结果传输到经典计算部分以基于多个测量结果和更新规则更新多个变分参数，并且确定测量的能量是否满足收敛规则。当测量的能量不满足收敛规则时，该方法包括将多个更新的变分参数发送到量子计算部分以用于下一迭代；并且当测量的能量满足收敛规则时，该方法包括获得哈密顿量系统的多个最优变分参数。
用于模拟量子系统方法装置存储介质

[发明专利]用于紧凑的和高数据存储电子器件的基于单个纳米颗粒的非易失性存储系统-CN201980074725.6在审
发明人： M·莱兹邱 -专利权人：哈利法科技大学
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：提供有一种纳米存储系统的结构。所公开的单位纳米存储单元包括布置在半导体衬底(301)的表面上的单个隔离的纳米颗粒以及相邻的纳米‑肖特基接触(303)。纳米颗粒用作存储位置，在该存储位置处纳米‑肖特基接触(303)在相对小的电压下用作电子的进或出半导体衬底(301)的源或漏。可以通过对纳米颗粒充电或放电而打开(读数1)或关闭(读数0)通过纳米‑肖特基接触(303)的电流。由于电接触是由衬底(301)的背接触和表面上的纳米‑肖特基接触(303)形成的，并且电荷被存储在非常小的纳米颗粒中，因此这允许获得最终的器件的缩小。这也将显著增加芯片上的纳米存储单元的数量。此外，由于小的纳米‑肖特基接触(301)以及用于存储电荷的纳米颗粒的小的尺寸，充电和放电(写/擦除)以及读电压比基于CMOS的闪存单元所需的小。
用于紧凑数据存储电子器件基于单个纳米颗粒非易失性存储系统

[发明专利]超导量子比特空气桥的除胶方法及其芯片-CN202110193710.0在审
发明人：宿非凡;杨钊华;田野;赵士平 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种超导量子比特空气桥的除胶方法，所述方法包括利用丙酮和N‑甲基吡咯烷酮混合溶液对多超导量子比特空气桥上的光刻胶进行喷淋处理。本发明方法成功去除了超导量子比特空气桥工艺中的光刻胶，解决了原有浸泡法除胶所存在的问题。经测试，应用本发明工艺所得到的多量子比特性能达到世界相应水平。
超导量子比特空气方法及其芯片

[发明专利]量子处理系统-CN201980054854.9在审
发明人： B·瓦赞;J·萨尔菲;S·罗格 -专利权人：新南创新有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：公开了一种量子处理系统。在一个实施例中，量子处理系统包括：定位在硅晶体衬底中的多个施主原子，每个施主原子定位在施主位点处；以及多个导电控制电极，多个导电控制电极布置在施主原子周围，以将施主原子作为量子比特操作。其中，多个施主原子中的至少两对最近的相邻施主原子沿着硅晶体衬底的[110]方向布置，并且被配置为作为量子比特操作。
量子处理系统

1
2
下一页»
尾页
共 30 条