[发明专利]具有增强模式和耗尽模式晶体管二者的单片微波集成电路在审
| 申请号： | 201980052276.5 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN112534570A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | S·斯瑞拉姆;J·高;J·费舍;S·什帕德 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L21/8252 | 分类号： | H01L21/8252;H01L29/20;H01L29/778;H01L29/40;H01L27/088;H01L27/06;H01L27/085 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 於菪珉 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于氮化镓的单片微波集成电路包括基板(110)、基板上的沟道层(130)和沟道层上的阻挡层(140)。在阻挡层的顶表面中提供凹部(412)。在阻挡层上与沟道层相对地提供第一栅电极、第一源电极和漏电极，其中，第一栅电极(210、310)的底表面与阻挡层直接接触。在阻挡层上与沟道层相对地还提供第二栅电极(410)、第二源电极(420)和第二漏电极(430)。在阻挡层中的凹部中提供栅绝缘层(412)，并且第二栅电极与阻挡层相对地在栅绝缘层上并延伸到凹部中。第一栅电极、第一源电极和第一漏电极包括耗尽模式晶体管(200、300)的电极，并且第二栅电极、第二源电极和第二漏电极包括增强模式晶体管(400)的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 模式 耗尽 晶体管 二者 单片 微波集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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