[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980051407.8 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112534588A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;奥野直树;本田龙之介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/1156 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在高温下也稳定地进行工作的半导体装置。该半导体装置包括金属氧化物、绝缘层、第一导电层、第二导电层及第三导电层，金属氧化物包括第一区域、第二区域及第三区域，第一区域与第一导电层重叠，第二区域与第二导电层重叠，第三区域隔着绝缘层与第三导电层重叠，相对于第三区域的载流子浓度的第一区域的载流子浓度的比值为100以上，相对于第三区域的载流子浓度的第二区域的载流子浓度的比值为100以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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