[发明专利]具有金属壁的薄膜电阻器的集成电路在审
| 申请号： | 201980050140.0 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN112514048A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | Q·Z·洪;H·郭;B·J·蒂默;G·B·希恩 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L49/02;H01C7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路(IC)(100)，其包括具有半导体表面层(102)的衬底，半导体表面层(102)具有用于实现至少一个电路功能的功能电路系统，并且在半导体表面层(102)上方的金属层(118)上具有层级间电介质(ILD)层。包括薄膜电阻器(TFR)层的TFR在ILD层上。至少一个竖直金属壁(108)在TFR的至少两侧上。该金属壁包括由填充通孔(126)耦合的至少2个金属层级。功能电路系统在金属壁外面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 薄膜 电阻器 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
