[发明专利]具有金属壁的薄膜电阻器的集成电路在审
| 申请号： | 201980050140.0 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN112514048A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | Q·Z·洪;H·郭;B·J·蒂默;G·B·希恩 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L49/02;H01C7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 金属 薄膜 电阻器 集成电路 | ||
1.一种制造集成电路即IC的方法，所述方法包括：
提供具有半导体表面层的衬底，所述半导体表面层具有用于实现至少一个电路功能的功能电路系统，并且在所述半导体表面层上方的金属层上具有层级间电介质层即ILD层；
在所述ILD层上形成包括TFR层的薄膜电阻器即TFR；
在所述TFR的至少两侧上形成至少一个竖直金属壁；
其中，所述金属壁包括由填充通孔耦合的至少2个金属层级，并且
其中，所述功能电路系统在所述金属壁的外面。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述TFR层包括硅铬即SiCr或镍铬即NiCr。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述TFR层包括掺杂多晶硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述TFR层的厚度是1nm至100nm。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括激光修整所述TFR。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属壁各自包括至少2个所述金属壁。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属壁的所述至少2个金属层级包括交错的多个金属岛。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属壁的所述至少2个金属层级在所述IC上共用最小宽度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属壁与所述半导体表面层电隔离。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述TFR的方块电阻是100至1000Ω/□。
11.一种集成电路即IC，所述IC包括：
衬底，其具有半导体表面层，所述半导体表面层具有用于实现至少一个电路功能的功能电路系统，并且在所述半导体表面层上方的金属层上具有层级间电介质层即ILD层；
薄膜电阻器即TFR，其包括在所述ILD层上的TFR层，以及
在所述TFR的至少两侧上的至少一个竖直金属壁，
其中，所述金属壁包括由填充通孔耦合的至少2个金属层级，并且
其中，所述功能电路系统在所述金属壁的外面。
12.根据权利要求11所述的IC，其中所述TFR层包含硅铬即SiCr或镍铬即NiCr。
13.根据权利要求11所述的IC，其中所述TFR层包括掺杂多晶硅。
14.根据权利要求11所述的IC，其中所述TFR层的厚度是1nm至100nm。
15.根据权利要求11所述的IC，其中所述金属壁各包括至少2个所述金属壁。
16.根据权利要求11所述的IC，其中所述金属壁的所述至少2个金属层级包括交错的多个金属岛。
17.根据权利要求11所述的IC，其中所述金属壁的所述至少2个金属层级在所述IC上共用最小宽度。
18.根据权利要求11所述的IC，其中所述金属壁与所述半导体表面层电隔离。
19.根据权利要求11所述的IC，其中所述TFR的方块电阻是100至1000Ω/□。
20.根据权利要求11所述的IC，其中所述IC包括模拟IC。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
