[发明专利]基板处理系统和基板处理方法在审
| 申请号： | 201980048400.0 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN112514035A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 大川理 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种基板处理系统，对基板进行处理，所述基板处理系统具有：蚀刻装置，其对基板进行蚀刻；以及控制装置，其控制所述蚀刻装置，所述蚀刻装置具有：液供给喷嘴，其向基板供给处理液；厚度测量部，其与所述液供给喷嘴一体地设置，并且以不与基板接触的方式测量该基板的厚度；以及移动机构，其使所述液供给喷嘴和所述厚度测量部在水平方向上移动，所述控制装置控制所述液供给喷嘴、所述厚度测量部以及所述移动机构，以一边使所述液供给喷嘴和所述厚度测量部在水平方向上移动一边通过该厚度测量部来测量基板的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
