[发明专利]基板处理系统和基板处理方法

说明书

一种基板处理系统，对基板进行处理，所述基板处理系统具有：蚀刻装置，其对基板进行蚀刻；以及控制装置，其控制所述蚀刻装置，所述蚀刻装置具有：液供给喷嘴，其向基板供给处理液；厚度测量部，其与所述液供给喷嘴一体地设置，并且以不与基板接触的方式测量该基板的厚度；以及移动机构，其使所述液供给喷嘴和所述厚度测量部在水平方向上移动，所述控制装置控制所述液供给喷嘴、所述厚度测量部以及所述移动机构，以一边使所述液供给喷嘴和所述厚度测量部在水平方向上移动一边通过该厚度测量部来测量基板的厚度。

技术领域

本公开涉及一种基板处理系统和基板处理方法。

背景技术

在专利文献1中公开了一种对半导体基板上的薄膜进行湿蚀刻的蚀刻装置。蚀刻装置具备药液喷出喷嘴、光缆以及光学式膜厚测定器。药液喷出喷嘴向半导体基板上喷出湿蚀刻用的药液。光缆的至少一部分处于药液喷出喷嘴内，并且光缆以如下方式设置：引导光以使光通过药液并到达半导体基板表面，并且接受通过了药液的、来自半导体基板表面的反射光。光学式膜厚测定器根据从反射光得到的信息来测定半导体基板上的蚀刻对象膜的膜厚。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-354489号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开所涉及的技术在基板面内掌握蚀刻处理中的基板的厚度，并且使该蚀刻处理的面内均匀性提高。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式是一种对基板进行处理的基板处理系统，具有：蚀刻装置，其对基板进行蚀刻；以及控制装置，其控制所述蚀刻装置，其中，所述蚀刻装置具有：液供给喷嘴，其向基板供给处理液；厚度测量部，其与所述液供给喷嘴一体地设置，并且以不与基板接触的方式测量该基板的厚度；以及移动机构，其使所述液供给喷嘴和所述厚度测量部在水平方向上移动，所述控制装置控制所述液供给喷嘴、所述厚度测量部以及所述移动机构，以以一边使所述液供给喷嘴和所述厚度测量部在水平方向上移动一边通过该厚度测量部来测量基板的厚度。

发明的效果

根据本公开，本公开所涉及的技术能够在基板面内掌握蚀刻处理中的基板的厚度，并且使该蚀刻处理的面内均匀性提高。

附图说明

图1是示意性地表示第一实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构的概要的俯视图。

图2是表示重叠晶圆的结构的概要的侧视图。

图3是表示湿蚀刻装置的结构的概要的纵剖截面图。

图4是表示湿蚀刻装置的结构的概要的横剖截面图。

图5是表示液供给喷嘴的结构的概要的纵剖截面图。

图6是表示晶圆处理的主要工序的流程图。

图7是晶圆处理的主要工序的说明图。

图8是示意性地表示第二实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构的概要的俯视图。

图9是表示其它实施方式所涉及的湿蚀刻装置的结构的概要的纵剖截面图。

图10是表示其它实施方式所涉及的湿蚀刻装置的结构的概要的纵剖截面图。

具体实施方式

在半导体器件的制造工序中，针对在表面形成有多个电子电路等器件的半导体晶圆(以下称作晶圆)，对该晶圆的背面进行磨削来使晶圆变薄。