[发明专利]单层转移集成电路的热提取有效
| 申请号： | 201980048105.5 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN112424929B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 保罗·阿比吉特;理查德·詹姆斯·道林;山田浩史;阿拉因·迪瓦莱;罗纳德·尤金·里迪 | 申请（专利权）人： | 派赛公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/522;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高岩;杨林森 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种使用背侧接近工艺制造的FET IC结构，该FET IC结构减轻或消除了导热性问题。在一些实施方式中，在FET附近形成电隔离的热路径，并且该电隔离的热路径被配置成将热横向地传导离开FET至总体上正交的热路径，并且因此传导至在完整IC的“顶部”处可从外部接近的热垫。在利用导热处理晶片的一些实施方式中，在FET附近形成电隔离的热路径，并且该电隔离的热路径被配置成将热横向地传导离开FET。充分地形成热通孔以与处理晶片以及与器件上部结构的常规金属化层热接触，所述常规金属化层中的至少一个与横向热路径热接触。在一些实施方式中，横向热路径可以使用伪栅极，所述伪栅极被配置成将热横向地传导离开FET至总体上正交的热路径。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 转移 集成电路 提取 | ||
【主权项】：
暂无信息
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