[发明专利]三维NOR存储器阵列的制造方法在审
| 申请号： | 201980045255.0 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN112567516A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | E.哈拉利;S.B.赫纳;W-Y.H.钱 | 申请（专利权）人： | 日升存储公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造三维存储器结构的过程包括：(a)在半导体衬底的平坦表面之上提供一个或多个有源层，每个有源层包括(i)具有第一电导率的第一半导体层和第二半导体层；(ii)将第一半导体层和第二半导体层分离的介电层；以及(ii)一个或多个牺牲层，牺牲层的至少一个与第一半导体层相邻；(b)蚀刻有源层以创建多个有源堆叠体和第一组沟槽，每个沟槽分离且暴露相邻的有源堆叠体的侧壁；(c)由硅氧化物填充第一组沟槽；(d)图案化并蚀刻硅氧化物，以创建各自邻接相邻的有源堆叠体的硅氧化物列并暴露有源堆叠体的一个或多个侧壁的部分；(e)通过各向同性蚀刻穿过有源堆叠体的侧壁的暴露的部分，从侧壁的暴露的部分移除牺牲层，以在有源层中创建对应的腔体。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 nor 存储器 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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