[发明专利]用于高反射率铝层的方法和设备在审
| 申请号： | 201980030050.5 | 申请日： | 2019-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN112470263A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 杰奎琳·阮奇;吴立其;吴湘宁;马伯方;尚浩·于;F·G·瓦西纳诺特;诺布尤基·佐佐木 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01S3/00;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于增加基板上的铝层的反射率的方法及设备。在一些实施方式中，一种在基板上沉积铝层的方法，包括以下步骤：利用化学气相沉积(CVD)工艺在基板上沉积钴或钴合金层或钛或钛合金层；若损害钴或钴合金层的顶表面，则在约400摄氏度的温度下利用热氢退火预处理钴或钴合金层；和在约120摄氏度的温度下利用CVD工艺在钴或钴合金层或钛或钛合金层上沉积铝层。可实现钴或钴合金层的预处理达约60秒至约120秒的持续时间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 反射率 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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