[发明专利]含C溅射靶及其制造方法在审
| 申请号： | 201980027092.3 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112004957A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 山本孝充;西浦正纮;黑濑健太;小林弘典;宫下敬史;中野正史 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F1/00;B22F3/10;C22C1/04;C22C1/05;C22C5/04;C22C19/07;C22C30/00;C22C30/02;C22C33/02;C22C38/00;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 盛曼;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供可抑制C粒子的聚集、减少粉粒产生的溅射靶。一种含C溅射靶，其是含有选自Fe和Co中的一种以上、Pt以及C的含C溅射靶，其特征在于，该溅射靶的溶解残渣的粒度分布中的D90(90累积％粒径)为20.0μm以下，粒径小于1.0μm为40累积％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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