[发明专利]含C溅射靶及其制造方法在审
申请号: | 201980027092.3 | 申请日: | 2019-04-22 |
公开(公告)号: | CN112004957A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 山本孝充;西浦正纮;黑濑健太;小林弘典;宫下敬史;中野正史 | 申请(专利权)人: | 田中贵金属工业株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;B22F1/00;B22F3/10;C22C1/04;C22C1/05;C22C5/04;C22C19/07;C22C30/00;C22C30/02;C22C33/02;C22C38/00;G11B5/851 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 盛曼;金龙河 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅射 及其 制造 方法 | ||
本发明提供可抑制C粒子的聚集、减少粉粒产生的溅射靶。一种含C溅射靶,其是含有选自Fe和Co中的一种以上、Pt以及C的含C溅射靶,其特征在于,该溅射靶的溶解残渣的粒度分布中的D90(90累积%粒径)为20.0μm以下,粒径小于1.0μm为40累积%以下。
技术领域
本发明涉及含C溅射靶及其制造方法,特别是涉及含有Fe或Co、Pt和C(碳)的含C溅射靶及其制造方法。
背景技术
本申请人已经提出了能够在不使用多个靶的情况下单独形成碳含量多的FePtC系薄膜的FePt-C系溅射靶(专利文献1、专利文献2、专利文献3)。
专利文献1公开了一种含有Fe、Pt和C的FePt-C系溅射靶,其特征在于,具有含有40~60原子%的Pt且余量由Fe和不可避免的杂质构成的FePt系合金相与含有不可避免的杂质的C相相互分散而成的结构,相对于靶整体的C的含量为21~70原子%。专利文献1的FePt-C系溅射靶通过对混合粉末进行烧结来制造,所述混合粉末通过将利用雾化法得到的FePt合金粉末与平均粒径20~100nm的C粉末装入到球磨机中进行混合而制备,C相的平均大小为0.60μm以下。
专利文献2公开了一种FePt-C系溅射靶,其特征在于,具有含有不可避免的杂质的一次粒子的C彼此以相互不接触的方式分散在含有33原子%以上且60原子%以下的Pt且余量由Fe和不可避免的杂质构成的FePt合金相中而成的结构,一次粒子的C的平均粒径为1μm以上且30μm以下,并且C的总表面积中覆盖着FePt系合金相的表面积为C的总表面积的80%以上。专利文献2的FePt-C系溅射靶通过对混合粉末进行烧结来制造,所述混合粉末通过将从网眼20μm的筛通过后的Fe雾化粉末或平均粒径10μm的Fe粉、平均粒径1μm的Pt粉末与平均粒径8μm的非晶质碳利用转鼓混合机混合15分钟而制备。在此,转鼓混合机是通过使混合容器保持倾斜地旋转而将粉末混合的装置(例如,市售有株式会社Eishin制造的转鼓混合机、Misugi有限公司制造的Mazemazeman等)。
专利文献3公开了一种FePt-C系溅射靶,其具有实质上由C构成的非球形C相分散在含有33摩尔%以上且60摩尔%以下的Pt且余量实质上由Fe构成的FePt系合金相中而成的结构。专利文献3的FePt-C系溅射靶通过对混合粉末进行烧结来制造,所述混合粉末通过将Pt和Fe的各粉末或利用雾化法得到的FePt合金粉末与非球形C粉末在使用球的混合器中以300rpm混合30分钟而制备。
另外,提出了如下形成的溅射靶:将平均粒径为0.5μm以上且10μm以下的原料粉末在球磨机中混合、粉碎4小时,进行热压,对所得到的烧结体进行热等静压加工,使平均面积为4μm2以下的C粒子微细地均匀分散在母材金属中(专利文献4)。
此外提出了如下的C相沿特定方向对齐地分散的溅射靶,其通过将扁平状或板状的FePt系合金粉末与平均粒径15μm的扁平状或板状的C粉末(薄片化石墨粉末)利用研钵混合、并实施单轴方向加压的热压而得到(专利文献5)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-214874号公报
专利文献2:日本专利第5965539号公报
专利文献3:WO2017/154741 A1
专利文献4:日本专利第5290468号公报
专利文献5:日本专利第5457615号公报
发明内容
发明所要解决的问题
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