[发明专利]含C溅射靶及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201980027092.3 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN112004957A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 山本孝充;西浦正纮;黑濑健太;小林弘典;宫下敬史;中野正史 申请(专利权)人: 田中贵金属工业株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;B22F1/00;B22F3/10;C22C1/04;C22C1/05;C22C5/04;C22C19/07;C22C30/00;C22C30/02;C22C33/02;C22C38/00;G11B5/851
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 盛曼;金龙河
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 溅射 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种含C溅射靶,其是含有选自Fe和Co中的一种以上、Pt以及C的含C溅射靶,其特征在于,该溅射靶的溶解残渣的粒度分布中的D90(90累积%粒径)为20.0μm以下,粒径小于1.0μm为40累积%以下。

2.如权利要求1所述的含C溅射靶,其特征在于,所述D90为5.0μm以上且20.0μm以下。

3.如权利要求1或2所述的含C溅射靶,其特征在于,进一步,所述溅射靶的溶解残渣的粒度分布中的D50(50累积%粒径)为2.0μm以上且7.0μm以下。

4.如权利要求1~3中任一项所述的含C溅射靶,其特征在于,进一步,所述溅射靶的溶解残渣的粒度分布中的D10(10累积%粒径)为0.5μm以上且2.0μm以下。

5.如权利要求1~4中任一项所述的含C溅射靶,其特征在于,Pt为5摩尔%以上且55摩尔%以下,C为10摩尔%以上且60摩尔%以下,余量为选自Fe和Co中的一种以上以及不可避免的杂质。

6.如权利要求5所述的含C溅射靶,其特征在于,还含有以总量计大于0摩尔%且20摩尔%以下的选自Ag、Au、B、Cr、Cu、Ge、Ir、Ni、Pd、Rh、Ru中的一种以上。

7.如权利要求5或6所述的含C溅射靶,其特征在于,还含有以总量计大于0摩尔%且20摩尔%以下的非磁性材料(其中不包括C)。

8.如权利要求7所述的含C溅射靶,其特征在于,所述非磁性材料为选自从Si、Ti或Ta的氧化物中选择的氧化物、B、Ti或Ta的氮化物中的一种以上。

9.权利要求1~8中任一项所述的含C溅射靶的制造方法,其特征在于,利用具有在垂直方向和水平方向上旋转的三维运动机构的混合机将选自金属粉末和合金粉末中的至少一种与C粉末混合而制备混合物,并对该混合物进行烧结。

10.如权利要求9所述的含C溅射靶的制造方法,其特征在于,所述选自金属粉末和合金粉末中的至少一种与C粉末的混合以10rpm以上且50rpm以下的转速进行20小时以上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于田中贵金属工业株式会社,未经田中贵金属工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980027092.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top