[发明专利]含C溅射靶及其制造方法在审
申请号: | 201980027092.3 | 申请日: | 2019-04-22 |
公开(公告)号: | CN112004957A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 山本孝充;西浦正纮;黑濑健太;小林弘典;宫下敬史;中野正史 | 申请(专利权)人: | 田中贵金属工业株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;B22F1/00;B22F3/10;C22C1/04;C22C1/05;C22C5/04;C22C19/07;C22C30/00;C22C30/02;C22C33/02;C22C38/00;G11B5/851 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 盛曼;金龙河 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.一种含C溅射靶,其是含有选自Fe和Co中的一种以上、Pt以及C的含C溅射靶,其特征在于,该溅射靶的溶解残渣的粒度分布中的D90(90累积%粒径)为20.0μm以下,粒径小于1.0μm为40累积%以下。
2.如权利要求1所述的含C溅射靶,其特征在于,所述D90为5.0μm以上且20.0μm以下。
3.如权利要求1或2所述的含C溅射靶,其特征在于,进一步,所述溅射靶的溶解残渣的粒度分布中的D50(50累积%粒径)为2.0μm以上且7.0μm以下。
4.如权利要求1~3中任一项所述的含C溅射靶,其特征在于,进一步,所述溅射靶的溶解残渣的粒度分布中的D10(10累积%粒径)为0.5μm以上且2.0μm以下。
5.如权利要求1~4中任一项所述的含C溅射靶,其特征在于,Pt为5摩尔%以上且55摩尔%以下,C为10摩尔%以上且60摩尔%以下,余量为选自Fe和Co中的一种以上以及不可避免的杂质。
6.如权利要求5所述的含C溅射靶,其特征在于,还含有以总量计大于0摩尔%且20摩尔%以下的选自Ag、Au、B、Cr、Cu、Ge、Ir、Ni、Pd、Rh、Ru中的一种以上。
7.如权利要求5或6所述的含C溅射靶,其特征在于,还含有以总量计大于0摩尔%且20摩尔%以下的非磁性材料(其中不包括C)。
8.如权利要求7所述的含C溅射靶,其特征在于,所述非磁性材料为选自从Si、Ti或Ta的氧化物中选择的氧化物、B、Ti或Ta的氮化物中的一种以上。
9.权利要求1~8中任一项所述的含C溅射靶的制造方法,其特征在于,利用具有在垂直方向和水平方向上旋转的三维运动机构的混合机将选自金属粉末和合金粉末中的至少一种与C粉末混合而制备混合物,并对该混合物进行烧结。
10.如权利要求9所述的含C溅射靶的制造方法,其特征在于,所述选自金属粉末和合金粉末中的至少一种与C粉末的混合以10rpm以上且50rpm以下的转速进行20小时以上。
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