[发明专利]用于新颖缺陷发现的扰乱挖掘有效
| 申请号： | 201980016792.2 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111801783B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | M·普利哈尔 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明使得半导体制造商能够更准确地确定本来会被忽略的缺陷的存在。本发明可体现为用于新颖缺陷发现的系统、方法或设备。本发明可包括：在扰乱筛选器中设置扰乱格区；将缺陷群体划分成缺陷群体分区；将所述缺陷群体分区分段成缺陷群体区段；从所述缺陷群体区段选择一组选定缺陷；计算所述缺陷群体区段中的所述缺陷的信号属性的一或多个统计量；复制所述组选定缺陷以得到产生型缺陷；将所述产生型缺陷移位到所述缺陷群体区段之外；创建训练组；及训练二进制分类器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 新颖 缺陷 发现 扰乱 挖掘 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
