[发明专利]用于新颖缺陷发现的扰乱挖掘有效
| 申请号: | 201980016792.2 | 申请日: | 2019-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN111801783B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
| 发明(设计)人: | M·普利哈尔 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G01N21/95 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 新颖 缺陷 发现 扰乱 挖掘 | ||
1.一种缺陷发现方法,其包括:
在扰乱筛选器中设置扰乱格区,所述扰乱格区包含具有多个缺陷的缺陷群体,其中每一缺陷具有信号属性;
使用划分规则来将所述缺陷群体划分成缺陷群体分区;
使用分段规则来将所述缺陷群体分区分段成缺陷群体区段;
使用选择规则来从所述缺陷群体区段选择一组选定缺陷,所述组选定缺陷包含至少两个缺陷;
计算所述缺陷群体区段中的所述缺陷的所述信号属性的一或多个统计量;
复制所述组选定缺陷以得到产生型缺陷;
使用所述一或多个统计量将所述产生型缺陷移位到所述缺陷群体区段之外;
创建训练组,在所述训练组中将所述组选定缺陷标记为扰乱,且将所述产生型缺陷标记为所关注缺陷;及
使用所述训练组在所述缺陷群体区段中的每一者中训练二进制分类器,其中所述二进制分类器包含新颖缺陷格区及真正扰乱格区,其中所述新颖缺陷格区与所述真正扰乱格区共享分类边界,所述分类边界经配置以基于每一缺陷的信号属性强度来将所述缺陷群体区段分离到所述新颖缺陷格区及所述真正扰乱格区中。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述一或多个统计量包含所述缺陷群体区段中的所述缺陷的所述信号属性的标准偏差或平均值。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述信号属性包含能量、量值、位点相似度或多裸片自动阈值偏移。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述划分规则包含以下各项中的一者:热点、区标识或具有至少一个注意区域的注意区域群组。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述至少一个注意区域为灵活注意区域。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述分段规则包含在光学图像情境空间中基于光学图像情境使用多样性取样来形成所述缺陷群体区段。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述分段规则包含基于设计的分组或模式分组。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述选择规则包含缺陷相像性、随机选择或信号空间中的离群值取样。
9.根据权利要求1所述的方法,其中自动地调整所述分类边界以将所述新颖缺陷格区中真正扰乱的数量最小化。
10.根据权利要求9所述的方法,其中在自动地调整所述分类边界之后,由用户人工地调整所述分类边界以更新所述新颖缺陷格区中真正扰乱的所述数量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





